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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-08-24 11:10 SOI膜厚5 nmの(100)面極薄nMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ ○清水 健・平本俊郎（東大）  SDM2007-160 ICD2007-88 |
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| 抄録 | （和） | (100)面極薄SOI MOSFETにおける移動度ユニバーサリティについて実験的に検討を行った。その結果、従来のバルクMOSFETや厚膜SOI MOSFETとは異なり、SOI膜厚が薄くなるにつれて$\eta$の値が上昇していくことが初めて実験的に明らかとなった。これらの実験結果は反転層のサブバンド構造を元に記述すると定性的にその傾向が一致する。また、これらの結果は移動度のモデリングで用いられる移動度ユニバーサリティについて、極薄SOI MOSFETにおける知見を与え、モデリングの一助となるものである。 |
| （英） | Experimental study on mobility universality in (100) oriented ultrathin body SOI nMOSFETs was performed for the first time. It is newly found that the mobility universality in ultrathin body SOI nMOSFETs is not the same as that in bulk or relatively thick SOI nMOSFETs and that $\eta$ value becomes larger as SOI thickness becomes thinner. These tendencies are well-described by the subband structure of MOS inversion layer. These results help the modeling of the mobility universality in ultrathin body SOI nMOSFETs. | |
| キーワード | （和） | 移動度 / 移動度ユニバーサリティ / 極薄SOI MOSFET / / / / / |
| （英） | inversion mobility / mobility universality / ultra-thin body SOI MOSFET / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 194, SDM2007-160, pp. 107-111, 2007年8月. | |
| 資料番号 | SDM2007-160 | |
| 発行日 | 2007-08-16 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-160 ICD2007-88 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2007-08-23 - 2007-08-24 |
| 開催地（和） | 北見工業大学 |
| 開催地（英） | Kitami Institute of Technology |
| テーマ（和） | VLSI回路、デバイス技術（高速、低電圧、低消費電力）<オーガナイザ：榎本忠儀(中央大学)> |
| テーマ（英） | VLSI Circuit and Device Technologies (High Speed, Low Voltage, and Low Power Consumption) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SOI膜厚5 nmの(100)面極薄nMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Experimental Study on Mobility Universality in (100) Ultra Thin Body nMOSFET with SOI thickness of 5 nm |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 移動度 / inversion mobility |
| キーワード(2)（和/英） | 移動度ユニバーサリティ / mobility universality |
| キーワード(3)（和/英） | 極薄SOI MOSFET / ultra-thin body SOI MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 健 / Ken Shimizu / シミズ ケン |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 (略称： 東大) Institute of Industrial Science, University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 (略称： 東大) Institute of Industrial Science, University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-08-24 11:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-160, ICD2007-88 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.194(SDM), no.195(ICD) |
| ページ範囲 | pp.107-111 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2007-08-16 (SDM, ICD) |
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