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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-08-24 10:20 ［特別招待講演］32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化 ○小山正人・小池正浩・上牟田雄一・鈴木正道・辰村光介・土屋義規・市原玲華・後藤正和・長友浩二・東 篤志・川中 繁・中嶋一明・関根克行（東芝）  SDM2007-159 ICD2007-87 |
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| 抄録 | （和） | MOSFET性能向上を阻害するゲート絶縁膜薄膜化の物理限界を打破するために、従来のSiO2(SiON)よりも比誘電率の高いゲート絶縁膜（high-k）、および従来の多結晶Siよりも寄生容量の少ないメタルゲート電極の実用化が必要である。2000年頃から続いてきた材料選択、成膜・加工・集積化を含めた製造技術開発の蓄積の結果、いよいよメタルゲート/high-k の32nm世代での実用化が見えてきている。本論文では、メタルゲート/high-kの導入によるデバイス特性の変化について具体的な課題を含めて紹介する。 |
| （英） | In this paper, influences of metal-gate and high-k gate dielectric application on MOSFET (32nm node and beyond) characteristics are discussed, including gate-leakage current, threshold voltage and inversion carrier mobility. Current status of two alternative metal gate technologies, which are dual metal gate (gate-first) and fully silicided gate, is explained shortly. | |
| キーワード | （和） | high-kゲート絶縁膜 / メタルゲート / 32nm世代 / MOSFET / / / / |
| （英） | High-k gate dielectric / metal-gate electrode / 32 nm node / MOSFET / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 194, SDM2007-159, pp. 101-106, 2007年8月. | |
| 資料番号 | SDM2007-159 | |
| 発行日 | 2007-08-16 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-159 ICD2007-87 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2007-08-23 - 2007-08-24 |
| 開催地（和） | 北見工業大学 |
| 開催地（英） | Kitami Institute of Technology |
| テーマ（和） | VLSI回路、デバイス技術（高速、低電圧、低消費電力）<オーガナイザ：榎本忠儀(中央大学)> |
| テーマ（英） | VLSI Circuit and Device Technologies (High Speed, Low Voltage, and Low Power Consumption) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of metal-gate/high-k on characteristics of MOSFETs for 32nm CMOS and beyond |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | high-kゲート絶縁膜 / High-k gate dielectric |
| キーワード(2)（和/英） | メタルゲート / metal-gate electrode |
| キーワード(3)（和/英） | 32nm世代 / 32 nm node |
| キーワード(4)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小山 正人 / Masato Koyama / コヤマ マサト |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小池 正浩 / Masahiro Koike / コイケ マサヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上牟田 雄一 / Yuuichi Kamimuta / カミムタ ユウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 正道 / Masamichi Suzuki / スズキ マサミチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 辰村 光介 / Kosuke Tatsumura / タツムラ コウスケ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土屋 義規 / Yoshinori Tsuchiya / ツチヤ ヨシノリ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市原 玲華 / Reika Ichihara / イチハラ レイカ |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 正和 / Masakazu Goto / ゴトウ マサカズ |
| 第8著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長友 浩二 / Koji Nagatomo / ナガトモ コウジ |
| 第9著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東 篤志 / Atsushi Azuma / アズマ アツシ |
| 第10著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川中 繁 / Shigeru Kawanaka / カワナカ シゲル |
| 第11著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中嶋 一明 / Kazuaki Nakajima / ナカジマ カズアキ |
| 第12著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関根 克行 / Katsuyuki Sekine / セキネ カツユキ |
| 第13著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-08-24 10:20:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-159, ICD2007-87 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.194(SDM), no.195(ICD) |
| ページ範囲 | pp.101-106 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-08-16 (SDM, ICD) |
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