講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-09-05 17:20
直並列・並列併用形S帯100W GaN FETスイッチ ○半谷政毅・西野 有・加茂宣卓・宮崎守泰(三菱電機) MW2007-94 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2007-94 |
抄録 |
(和) |
近年,高耐圧GaAsやGaNなど,高耐圧FETに関する研究が進んでいる.今回,遮断状態における耐電力がFETの耐圧およびバイアス電圧のみに依存しFETのゲート幅に拠らない,直並列・並列併用形高耐電力スイッチを考案したので報告する.本構成により,大電力の入力が可能になるとともに,FETのオフ容量にともなう損失増加を抑えられ,従来のスイッチにおいて問題であった通過損失と耐電力のトレードオフ関係を緩和することができる.高耐圧な特性を有するGaN FETを用いて本スイッチをS帯で試作し,比帯域10%で通過損失0.97dB以下,耐電力100W以上の良好な特性が得られ,本方式の有用性が確認できた. |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
スイッチ / 高耐電力 / 低損失 / FET / GaN / 直並列・並列併用形 / / |
(英) |
Switch / High Power Capability / Low loss / FET / GaN / Series-Shunt/Shunt / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 208, MW2007-94, pp. 71-75, 2007年9月. |
資料番号 |
MW2007-94 |
発行日 |
2007-08-29 (MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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