| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2007-10-04 15:40
マルチスケールトンネル電流シミュレータの開発 ○坪井秀行・芹澤和実・鈴木 愛・サヌーン リアド・古山通久・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・デルカルピオ カルロス(東北大)・梶山博司・篠田 傳(広島大)・宮本 明(東北大) SDM2007-176 |
| 抄録 |
(和) |
ディスプレイ用電子デバイスなどにおける電子放出特性を原子レベルでの表面電子状態解析から予測することはデバイス開発に貴重な設計指針を与える。本研究では、固体からの電子放出過程の原子レベルでの現象解明と特性予測を目的に、トンネル効果による電子放出特性を予測する新規シミュレータを開発した。 |
| (英) |
When developing electronic devices for display, nano-scale materials, information on their electron emission at the quantum chemistry level is of the utmost relevance. Here we present the newly developed electron emission simulator based on the Monte Carlo method that uses outputs of tight-binding quantum chemical molecular dynamics to infer the Fowler-Nordheim tunnel current and direct tunnel current from surface of electronic devices materials. |
| キーワード |
(和) |
プラズマディスプレイパネル / 電子放出 / トンネル電流 / シミュレーション / / / / |
| (英) |
Plasma Display Panel / Electron emission / Tunnel current / Simulation / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 245, SDM2007-176, pp. 15-16, 2007年10月. |
| 資料番号 |
SDM2007-176 |
| 発行日 |
2007-09-27 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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