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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-10-05 14:00 SBSI プロセスによるSOI/BOX 層の均一形成に関する検討 ○野武幸輝・須田雄一郎・大見俊一郎（東工大）  SDM2007-188 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では、SBSIプロセスによる均一なSOI/BOX層の作製を目的として、SiGe選択エッチング時におけるSi層へのダメージを低減するために、フッ硝酸によるSiGe層の横方向選択エッチングプロセスを検討した。70～120 sのエッチングを3分割することによりSi層へのダメージを低減できることが分かった。さらに選択エッチング後のSi表面の熱酸化によるBOX層の形成に関する検討を行い、BOX層膜厚のばらつきを15%程度に改善出来ることが分かった。 |
| （英） | A selective etching of SiGe layers for Si/SiGe/Si(100) layers has been investigated to reduce damage of Si surfaces. It was found that the damage of Si surface was reduced in case of 30x3 s selective etching compared to that of 90 s etching. By utilizing the etching process, it was found that the uniformity of BOX layer thickness was improved to 15%. | |
| キーワード | （和） | SOI / BOX / Si/SiGe多層構造 / 選択エッチング / 熱酸化 / / / |
| （英） | SOI / BOX / Si/SiGe stacked layers / selective etching / thermal oxidation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 245, SDM2007-188, pp. 49-52, 2007年10月. | |
| 資料番号 | SDM2007-188 | |
| 発行日 | 2007-09-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-188 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-10-04 - 2007-10-05 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and Novel Process Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SBSI プロセスによるSOI/BOX 層の均一形成に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Study on Improvement of Uniformity for SOI/BOX Layer Formation by SBSI Process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(2)（和/英） | BOX / BOX |
| キーワード(3)（和/英） | Si/SiGe多層構造 / Si/SiGe stacked layers |
| キーワード(4)（和/英） | 選択エッチング / selective etching |
| キーワード(5)（和/英） | 熱酸化 / thermal oxidation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野武 幸輝 / Kouki Notake / ノタケ コウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 雄一郎 / Yuichiro Suda / スダ ユウイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-10-05 14:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-188 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.245 |
| ページ範囲 | pp.49-52 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-09-27 (SDM) |
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