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講演抄録/キーワード
講演名 2007-10-12 09:00
多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討
酒井亮輔西田猛利塩島謙次葛原正明福井大ED2007-165 CPM2007-91 LQE2007-66 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-165 CPM2007-91 LQE2007-66
抄録 (和) 多段および傾斜フィールドプレート(FP)を有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧に関して、2次元アンサンブルモンテカルロシミュレーションを用いて理論解析を行った。多段FP構造を用いることにより、チャネル電界の最大値が改善されることを確認した。傾斜FP構造の電界分布は多段FP構造のものと比較して、より均一になることが示された。デバイスの設計指針として、所望のドレイン電圧に対して、FP長とSiO2膜厚の最適な組合せを記述する簡単な関係式を導出した。 
(英) We have theoretically analyzed the electric field distribution for multi-step and graded Field Plate (FP) AlGaN/GaN HEMTs based on an ensemble Monte Carlo 2D device simulation. The concept of multi-step FP structure was proved to be effective for improving the breakdown voltage of AlGaN/GaN HEMTs. It was demonstrated that the electric field distribution of the graded FP structure is more uniform than that of the multi-step FP structure. As a design guideline for the FP HEMT, a simple equation describing the relationship between the FP length and the SiO2 film thickness was derived for a given drain voltage.
キーワード (和) フィールドプレート / GaN / HEMT / 耐圧 / モンテカルロシミュレーション / / /  
(英) Field Plate / GaN / HEMT / Breakdown Voltage / Monte Carlo Simulation / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 251, ED2007-165, pp. 47-52, 2007年10月.
資料番号 ED2007-165 
発行日 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2007-165 CPM2007-91 LQE2007-66 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-165 CPM2007-91 LQE2007-66

研究会情報
研究会 CPM ED LQE  
開催期間 2007-10-11 - 2007-10-12 
開催地(和) 福井大学 
開催地(英) Fukui Univ. 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般 
テーマ(英) Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2007-10-CPM-ED-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Theoretical Study of Multi-Step and Graded Field Plates for AlGaN/GaN HEMTs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) フィールドプレート / Field Plate  
キーワード(2)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(3)(和/英) HEMT / HEMT  
キーワード(4)(和/英) 耐圧 / Breakdown Voltage  
キーワード(5)(和/英) モンテカルロシミュレーション / Monte Carlo Simulation  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 酒井 亮輔 / Ryosuke Sakai / サカイ リョウスケ
第1著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Fniv. of Fukui)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 西田 猛利 / Taketoshi Nishida / ニシダ タケトシ
第2著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Fniv. of Fukui)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ
第3著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Fniv. of Fukui)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara / クズハラ マサアキ
第4著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Fniv. of Fukui)
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講演者 第1著者 
発表日時 2007-10-12 09:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2007-165, CPM2007-91, LQE2007-66 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.251(ED), no.252(CPM), no.253(LQE) 
ページ範囲 pp.47-52 
ページ数
発行日 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) 


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