講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-10-12 09:00
多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討 ○酒井亮輔・西田猛利・塩島謙次・葛原正明(福井大) ED2007-165 CPM2007-91 LQE2007-66 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-165 CPM2007-91 LQE2007-66 |
抄録 |
(和) |
多段および傾斜フィールドプレート(FP)を有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧に関して、2次元アンサンブルモンテカルロシミュレーションを用いて理論解析を行った。多段FP構造を用いることにより、チャネル電界の最大値が改善されることを確認した。傾斜FP構造の電界分布は多段FP構造のものと比較して、より均一になることが示された。デバイスの設計指針として、所望のドレイン電圧に対して、FP長とSiO2膜厚の最適な組合せを記述する簡単な関係式を導出した。 |
(英) |
We have theoretically analyzed the electric field distribution for multi-step and graded Field Plate (FP) AlGaN/GaN HEMTs based on an ensemble Monte Carlo 2D device simulation. The concept of multi-step FP structure was proved to be effective for improving the breakdown voltage of AlGaN/GaN HEMTs. It was demonstrated that the electric field distribution of the graded FP structure is more uniform than that of the multi-step FP structure. As a design guideline for the FP HEMT, a simple equation describing the relationship between the FP length and the SiO2 film thickness was derived for a given drain voltage. |
キーワード |
(和) |
フィールドプレート / GaN / HEMT / 耐圧 / モンテカルロシミュレーション / / / |
(英) |
Field Plate / GaN / HEMT / Breakdown Voltage / Monte Carlo Simulation / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 251, ED2007-165, pp. 47-52, 2007年10月. |
資料番号 |
ED2007-165 |
発行日 |
2007-10-04 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2007-165 CPM2007-91 LQE2007-66 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-165 CPM2007-91 LQE2007-66 |
研究会情報 |
研究会 |
CPM ED LQE |
開催期間 |
2007-10-11 - 2007-10-12 |
開催地(和) |
福井大学 |
開催地(英) |
Fukui Univ. |
テーマ(和) |
窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般 |
テーマ(英) |
Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2007-10-CPM-ED-LQE |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Theoretical Study of Multi-Step and Graded Field Plates for AlGaN/GaN HEMTs |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
フィールドプレート / Field Plate |
キーワード(2)(和/英) |
GaN / GaN |
キーワード(3)(和/英) |
HEMT / HEMT |
キーワード(4)(和/英) |
耐圧 / Breakdown Voltage |
キーワード(5)(和/英) |
モンテカルロシミュレーション / Monte Carlo Simulation |
キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
酒井 亮輔 / Ryosuke Sakai / サカイ リョウスケ |
第1著者 所属(和/英) |
福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Fniv. of Fukui) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
西田 猛利 / Taketoshi Nishida / ニシダ タケトシ |
第2著者 所属(和/英) |
福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Fniv. of Fukui) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
第3著者 所属(和/英) |
福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Fniv. of Fukui) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara / クズハラ マサアキ |
第4著者 所属(和/英) |
福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Fniv. of Fukui) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2007-10-12 09:00:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2007-165, CPM2007-91, LQE2007-66 |
巻番号(vol) |
vol.107 |
号番号(no) |
no.251(ED), no.252(CPM), no.253(LQE) |
ページ範囲 |
pp.47-52 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2007-10-04 (ED, CPM, LQE) |