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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-10-12 14:40 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製 ○橋本直樹・結城明彦・斉藤英幸（千葉大）・王 新強（JST）・崔 成伯・石谷善博・吉川明彦（千葉大/JST）  ED2007-175 CPM2007-101 LQE2007-76 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-175 CPM2007-101 LQE2007-76 |
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| 抄録 | （和） | RF-MBE法によるGa極性GaN上のInN超薄膜成長メカニズムを明らかにするするため、InN供給量に対するInN層厚の依存性の調査と、RHEED、SEによるInN成長、脱離過程のリアルタイムその場観察を行った。それらの結果から、成長温度650℃ではInN供給量を多くしても、InN層厚は2分子層以下にセルフリミットされる機構を発見した。また、このInN層厚のセルフリミット機構はGaNマトリクス効果によって起きていることが分かった。 |
| （英） | In order to clarify RF-MBE growth mechanism of ultrathin InN on Ga-polarity GaN, we investigated tolal supply of InN dependence on InN well thickness, and performed in-situ and real time monitoring and analyzing of InN growth and desorption process. We found that InN well thickness was independent of total supply of InN and self-limited to less than 2ML. The self-limiting system in thickness of InN well was due to GaN matrix effect. | |
| キーワード | （和） | 窒化インジウム / 量子井戸 / セルフリミッティング / その場観察 / RF-MBE / / / |
| （英） | Indium nitride / Quantum well / Self-limiting / in-situ monitoring / RF-MBE / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 253, LQE2007-76, pp. 93-96, 2007年10月. | |
| 資料番号 | LQE2007-76 | |
| 発行日 | 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-175 CPM2007-101 LQE2007-76 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-175 CPM2007-101 LQE2007-76 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED LQE |
| 開催期間 | 2007-10-11 - 2007-10-12 |
| 開催地（和） | 福井大学 |
| 開催地（英） | Fukui Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2007-10-CPM-ED-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of novel InN/GaN multi-quantum wells consisting of one-monolayer InN wells in GaN matrix for application for new structure light emitting devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化インジウム / Indium nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 量子井戸 / Quantum well |
| キーワード(3)（和/英） | セルフリミッティング / Self-limiting |
| キーワード(4)（和/英） | その場観察 / in-situ monitoring |
| キーワード(5)（和/英） | RF-MBE / RF-MBE |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 直樹 / Naoki Hashimoto / ハシモト ナオキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 結城 明彦 / Akihiko Yuki / ユウキ アキヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斉藤 英幸 / Hideyuki Saito / サイトウ ヒデユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 王 新強 / Xinqiang Wang / ワン シンチャン |
| 第4著者 所属（和/英） | 科学技術振興機構 (略称： JST) JST (略称： JST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 崔 成伯 / Song-Bek Che / チェ ソンベク |
| 第5著者 所属（和/英） | 千葉大学/科学技術振興機構 (略称： 千葉大/JST) Chiba University/JST (略称： Chiba Univ./JST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石谷 善博 / Yoshihiro Ishitani / イシタニ ヨシヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 千葉大学/科学技術振興機構 (略称： 千葉大/JST) Chiba University/JST (略称： Chiba Univ./JST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉川 明彦 / Akihiko Yoshikawa / ヨシカワ アキヒコ |
| 第7著者 所属（和/英） | 千葉大学/科学技術振興機構 (略称： 千葉大/JST) Chiba University/JST (略称： Chiba Univ./JST) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-10-12 14:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2007-175, CPM2007-101, LQE2007-76 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.251(ED), no.252(CPM), no.253(LQE) |
| ページ範囲 | pp.93-96 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) |
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