| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2007-10-12 12:05
Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発
○柏原 康・高木重徳・増田和俊・松下景一・小野寺 賢・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男（東芝）  ED2007-172 CPM2007-98 LQE2007-73 |
| 抄録 |
（和） |
AlGaN/GaN HEMT 2チップをパッケージ実装した素子において、13.5GHz、CW動作、ドレイン電圧(Vds)30Vにて、最大出力56W(47.5dBm)を得た。この時の線形利得(GL)は8.4dB, 最大電力付加効率(PAE)は16.5%であった。 |
| （英） |
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) were developed for Ku-band applications. The operating voltage and temperature dependence of output power characteristics in CW operating conditions were investigated. The developed AlGaN/GaN HEMT with 23.04 mm gate periphery exhibits output power of over 50W with a power added efficiency (PAE) of 16.5% under VDS=30V, CW operating condition at 13.5GHz. |
| キーワード |
（和） |
AlGaN / GaN / HEMT / Ku帯 / 50W / 高出力 / / |
| （英） |
AlGaN / GaN / HEMT / Ku-band / 50W / high power / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 251, ED2007-172, pp. 81-84, 2007年10月. |
| 資料番号 |
ED2007-172 |
| 発行日 |
2007-10-04 (ED, CPM, LQE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に
ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
ED2007-172 CPM2007-98 LQE2007-73 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
CPM ED LQE |
| 開催期間 |
2007-10-11 - 2007-10-12 |
| 開催地（和） |
福井大学 |
| 開催地（英） |
Fukui Univ. |
| テーマ（和） |
窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） |
Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2007-10-CPM-ED-LQE |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発 |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
Ku-band AlGaN/GaN HEMTs with 50W Output Power |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） |
GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） |
HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） |
Ku帯 / Ku-band |
| キーワード(5)（和/英） |
50W / 50W |
| キーワード(6)（和/英） |
高出力 / high power |
| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
柏原 康 / Yasushi Kashiwabara / カシワバラ ヤスシ |
| 第1著者 所属（和/英） |
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 (略称： 東芝)
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
高木 重徳 / Shigenori Takagi / タカギ シゲノリ |
| 第2著者 所属（和/英） |
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 (略称： 東芝)
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
増田 和俊 / Kazutoshi Masuda / マスダ カズトシ |
| 第3著者 所属（和/英） |
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 (略称： 東芝)
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
松下 景一 / Keiichi Matsushita / マツシタ ケイイチ |
| 第4著者 所属（和/英） |
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 (略称： 東芝)
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
小野寺 賢 / Ken Onodera / オノデラ ケン |
| 第5著者 所属（和/英） |
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 (略称： 東芝)
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
高木 一考 / Kazutaka Takagi / タカギ カズタカ |
| 第6著者 所属（和/英） |
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 (略称： 東芝)
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
川崎 久夫 / Hisao Kawasaki / カワサキ ヒサオ |
| 第7著者 所属（和/英） |
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 (略称： 東芝)
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
高田 賢治 / Yoshiharu Takada / タカダ ケンジ |
| 第8著者 所属（和/英） |
東芝研究開発センター 先端電子デバイスラボラトリー (略称： 東芝)
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） |
津田 邦男 / Kunio Tsuda / ツダ クニオ |
| 第9著者 所属（和/英） |
東芝研究開発センター 先端電子デバイスラボラトリー (略称： 東芝)
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2007-10-12 12:05:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
ED2007-172, CPM2007-98, LQE2007-73 |
| 巻番号（vol） |
vol.107 |
| 号番号（no） |
no.251(ED), no.252(CPM), no.253(LQE) |
| ページ範囲 |
pp.81-84 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2007-10-04 (ED, CPM, LQE) |