講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-10-12 11:40
AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討 ○児玉和樹・西田猛利・塩島謙次・葛原正明(福井大) ED2007-171 CPM2007-97 LQE2007-72 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-171 CPM2007-97 LQE2007-72 |
抄録 |
(和) |
AlInN/InGaNヘテロ接合FETの高周波特性について理論予測を行った。解析には、2次元空間におけるアンサンブルモンテカルロシミュレーションを用いた。チャネル材料として、電子輸送特性に優れる高In組成InGaN(InNを含む)を用いることにより、高周波特性の向上を確認した。短チャネル効果を抑制しつつゲート長を20nm以下に設定することにより、電流利得遮断周波数がテラヘルツ領域に達することを理論的に予測した。 |
(英) |
High-frequency performance of AlInN/InGaN heterojunction FETs has been theoretically studied. Analyses were made using 2D ensemble Monte Carlo simulation. Due to the superior electron transport properties of InGaN, high-frequency performance was significantly improved for devices with InGaN or InN as a channel material. Simulation results indicated that the AlInN/InN HEMT devices with a gate length of below 20nm reached a current gain cutoff frequency in a THz frequency range. |
キーワード |
(和) |
InGaN / InN / HEMT / 電流利得遮断周波数 / テラヘルツ / / / |
(英) |
InGaN / InN / HEMT / current gain cutoff frequency / THz / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 251, ED2007-171, pp. 77-80, 2007年10月. |
資料番号 |
ED2007-171 |
発行日 |
2007-10-04 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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ED2007-171 CPM2007-97 LQE2007-72 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-171 CPM2007-97 LQE2007-72 |
研究会情報 |
研究会 |
CPM ED LQE |
開催期間 |
2007-10-11 - 2007-10-12 |
開催地(和) |
福井大学 |
開催地(英) |
Fukui Univ. |
テーマ(和) |
窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般 |
テーマ(英) |
Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2007-10-CPM-ED-LQE |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Theoretical study on high-frequency performance of AlInN/InGaN heterojunction FETs |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
InGaN / InGaN |
キーワード(2)(和/英) |
InN / InN |
キーワード(3)(和/英) |
HEMT / HEMT |
キーワード(4)(和/英) |
電流利得遮断周波数 / current gain cutoff frequency |
キーワード(5)(和/英) |
テラヘルツ / THz |
キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
児玉 和樹 / Kazuki Kodama / コダマ カズキ |
第1著者 所属(和/英) |
福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
西田 猛利 / Taketoshi Nishida / ニシダ タケトシ |
第2著者 所属(和/英) |
福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
第3著者 所属(和/英) |
福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara / クズハラ マサアキ |
第4著者 所属(和/英) |
福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2007-10-12 11:40:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2007-171, CPM2007-97, LQE2007-72 |
巻番号(vol) |
vol.107 |
号番号(no) |
no.251(ED), no.252(CPM), no.253(LQE) |
ページ範囲 |
pp.77-80 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2007-10-04 (ED, CPM, LQE) |