講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-10-19 14:25
Si圧痕のラマン分光解析 ○柳沢雅広・久保暢宏・阪田薫穂・加藤真裕・本間敬之・逢坂哲彌(早大) EMD2007-64 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2007-64 |
抄録 |
(和) |
Si表面に形成した三角錐圧痕について、共焦点型ラマン分光装置を用いてそのスペクトル解析およびイメージング解析を行った。その結果、圧痕周辺の盛り上がり部において応力により分離した3本のピークが観察され、低波数シフトが生じていることから引張歪が加わっていることが分かった。また圧痕中心では高波数シフトが生じて圧縮歪が加わっていることが分かった。これらの歪分布は有限要素法計算によっても確認された |
(英) |
Raman imaging was carried out to measure strain mapping at around indented Si surfaces. Two or three Raman peaks of Si were observed at swells around the triangular indentation dimple made by Berkovich type indenter. On the other hand, single Raman peak with high Raman shift was observed at the center of indentation. Raman shift images of the indentation reveal that there are compressive strain at the center of dimple and tensile strain at the swelled surroundings. The peak separation is induced by biaxial or triaxial stresses during the indentation process. Calculated strain images using FEM (Finite Element Method) showed good agreement with the experimental results |
キーワード |
(和) |
ラマン分光法 / シリコン / 圧痕 / 歪 / / / / |
(英) |
Raman Spectroscopy / Silicon / Indentation / Strain / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 272, EMD2007-64, pp. 51-54, 2007年10月. |
資料番号 |
EMD2007-64 |
発行日 |
2007-10-12 (EMD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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