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講演抄録/キーワード
講演名
2007-11-16 15:20
高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析
○
井上雄介
・
増田 哲
・
金村雅仁
・
多木俊裕
・
牧山剛三
・
岡本直哉
・
今西健治
・
吉川俊英
・
原 直紀
・
重松寿生
・
常信和清
(
富士通研
)
R2007-51 ED2007-184 SDM2007-219
抄録
(和)
(まだ登録されていません)
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
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(英)
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文献情報
信学技報, vol. 107, no. 319, ED2007-184, pp. 27-31, 2007年11月.
資料番号
ED2007-184
発行日
2007-11-09 (R, ED, SDM)
ISSN
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード
R2007-51 ED2007-184 SDM2007-219
研究会情報
研究会
SDM R ED
開催期間
2007-11-16 - 2007-11-16
開催地(和)
中央電気倶楽部
開催地(英)
テーマ(和)
半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性
テーマ(英)
講演論文情報の詳細
申込み研究会
ED
会議コード
2007-11-SDM-R-ED
本文の言語
日本語
タイトル(和)
高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Degradation-Mode Analysis for Highly Reliable GaN-HEMT
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
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キーワード(2)(和/英)
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キーワード(3)(和/英)
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キーワード(4)(和/英)
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キーワード(5)(和/英)
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キーワード(6)(和/英)
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キーワード(7)(和/英)
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キーワード(8)(和/英)
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
井上 雄介
/
Yusuke Inoue
/
イノウエ ユウスケ
第1著者 所属(和/英)
富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Labs. Ltd.
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
増田 哲
/
Satoshi Masuda
/
マスダ サトシ
第2著者 所属(和/英)
富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Labs. Ltd.
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
金村 雅仁
/
Masahito Kanamura
/
カナムラ マサヒト
第3著者 所属(和/英)
富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Labs. Ltd.
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
多木 俊裕
/
Toshihiro Ohki
/
オオキ トシヒロ
第4著者 所属(和/英)
富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Labs. Ltd.
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
牧山 剛三
/
Kozo Makiyama
/
マキヤマ コウゾウ
第5著者 所属(和/英)
富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Labs. Ltd.
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
岡本 直哉
/
Naoya Okamoto
/
オカモト ナオヤ
第6著者 所属(和/英)
富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Labs. Ltd.
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
今西 健治
/
Kenji Imanishi
/
イマニシ ケンジ
第7著者 所属(和/英)
富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Labs. Ltd.
)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
吉川 俊英
/
Toshihide Kikkawa
/
キッカワ トシヒデ
第8著者 所属(和/英)
富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Labs. Ltd.
)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
原 直紀
/
Naoki Hara
/
ハラ ナオキ
第9著者 所属(和/英)
富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Labs. Ltd.
)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
重松 寿生
/
Hisao Shigematsu
/
シゲマツ ヒサヲ
第10著者 所属(和/英)
富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Labs. Ltd.
)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
常信 和清
/
Kazukiyo Joshin
/
ジョウシン カズキヨ
第11著者 所属(和/英)
富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Labs. Ltd.
)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第12著者 所属(和/英)
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第13著者 所属(和/英)
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第14著者 所属(和/英)
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第15著者 所属(和/英)
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第16著者 所属(和/英)
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第17著者 所属(和/英)
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第18著者 所属(和/英)
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第19著者 所属(和/英)
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第20著者 所属(和/英)
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第21著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第21著者 所属(和/英)
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第22著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第22著者 所属(和/英)
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第23著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第23著者 所属(和/英)
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第24著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第24著者 所属(和/英)
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第25著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第26著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第27著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第27著者 所属(和/英)
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第28著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第28著者 所属(和/英)
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第29著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第29著者 所属(和/英)
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第30著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第30著者 所属(和/英)
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第31著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第32著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第33著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第34著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第34著者 所属(和/英)
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第35著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第35著者 所属(和/英)
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第36著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第36著者 所属(和/英)
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講演者
第1著者
発表日時
2007-11-16 15:20:00
発表時間
25分
申込先研究会
ED
資料番号
R2007-51, ED2007-184, SDM2007-219
巻番号(vol)
vol.107
号番号(no)
no.318(R), no.319(ED), no.320(SDM)
ページ範囲
pp.27-31
ページ数
5
発行日
2007-11-09 (R, ED, SDM)
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