| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2007-11-28 11:35
GaN光伝導スイッチからのテラヘルツ電磁波発生
○今藤 修・Brahm Pal Singh・廣瀬 裕・福島康之・瀧川信一（松下電器）  ED2007-201 |
| 抄録 |
（和） |
我々は、GaAsよりも破壊電界強度が一桁高いGaNを光伝導層に用いた大口径型の光伝導スイッチを作製し、紫外光励起によるテラヘルツ電磁波の発生を確認した。光伝導層の高抵抗化のためGaNには炭素（C）をドーピングを行い、60MΩcm 以上の高い抵抗率を得た。今回作製した光伝導スイッチから放射されたテラヘルツ波パルスのエネルギーは、500Vの印加電圧下で93.3pJ/pulse であった。また、テラヘルツ時間領域分光法で得たテラヘルツパルスのスペクトル波形は、0.1-0.2 THzの周波数領域に強度ピークを有していた。 |
| （英） |
We present apparently the first observation of sub-terahertz electromagnetic wave emission from GaN based large aperture photoconductive switches (LA-PCSWs) excited by ultraviolet femtosecond laser pulses. The photoconductive layer of the GaN LA-PCSW is doped with carbon giving rise to a resistivity as high as 60Mcm. The absolute energy of the emitted radiation pulses is measured to be 93.3pJ/pulse under 500V bias voltage. The Fourier spectrum of the measured pulse by the time-domain-spectroscopy shows the main components lie in 0.1-0.2 THz regime. |
| キーワード |
（和） |
窒化物系化合物半導体 / 光伝導スイッチ / テラヘルツ / 電磁波放射 / / / / |
| （英） |
GaN / photoconductive switch / terahertz / electromagnetic wave emission / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 355, ED2007-201, pp. 77-81, 2007年11月. |
| 資料番号 |
ED2007-201 |
| 発行日 |
2007-11-20 (ED) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に
ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
ED2007-201 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
ED |
| 開催期間 |
2007-11-27 - 2007-11-28 |
| 開催地（和） |
東北大学 電気通信研究所 |
| 開催地（英） |
Tohoku Univ. Research Institute of Electrical Communication |
| テーマ（和） |
ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） |
|
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2007-11-ED |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
GaN光伝導スイッチからのテラヘルツ電磁波発生 |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
High power sub-terahertz electromagnetic wave radiation from GaN Photoconductive switch |
| サブタイトル（英） |
|
| キーワード(1)（和/英） |
窒化物系化合物半導体 / GaN |
| キーワード(2)（和/英） |
光伝導スイッチ / photoconductive switch |
| キーワード(3)（和/英） |
テラヘルツ / terahertz |
| キーワード(4)（和/英） |
電磁波放射 / electromagnetic wave emission |
| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
今藤 修 / Osamu Imafuji / イマフジ オサム |
| 第1著者 所属（和/英） |
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター (略称： 松下電器)
Semiconductor Device Research, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称： Matsushita) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
Brahm Pal Singh / Brahm Pal Singh / Brahm Pal Singh |
| 第2著者 所属（和/英） |
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター (略称： 松下電器)
Semiconductor Device Research, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称： Matsushita) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
廣瀬 裕 / Yutaka Hirose / ヒロセ ユタカ |
| 第3著者 所属（和/英） |
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター (略称： 松下電器)
Semiconductor Device Research, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称： Matsushita) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
福島 康之 / Yasuyuki Fukushima / フクシマ ヤスユキ |
| 第4著者 所属（和/英） |
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター (略称： 松下電器)
Semiconductor Device Research, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称： Matsushita) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
瀧川 信一 / Shinichi Takigawa / タキガワ シンイチ |
| 第5著者 所属（和/英） |
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター (略称： 松下電器)
Semiconductor Device Research, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称： Matsushita) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第6著者 所属（和/英） |
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| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2007-11-28 11:35:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
ED2007-201 |
| 巻番号（vol） |
vol.107 |
| 号番号（no） |
no.355 |
| ページ範囲 |
pp.77-81 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2007-11-20 (ED) |