| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2007-12-07 10:30
AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフトDFBレーザの高出力10Gb/s動作 ○高田 幹・秋山 傑・松田 学・奥村滋一・江川 満・山本剛之(富士通研) LQE2007-114 |
| 抄録 |
(和) |
光出力が高く長距離伝送が可能で、かつ安定な単一モード発振が得られる光通信用光源を目的として、レーザ部と変調器部の活性層にAlGaInAs系多重量子井戸構造を適用し、レーザ部をλ/4シフトDFBとした電界吸収型変調器集積DFBレーザを開発した。作製した素子において、53℃で+3.0dBmという高い光出力と安定な単一モード発振、及び良好な10Gb/s、100kmシングルモードファイバ伝送を実現した。 |
| (英) |
High-power 10-Gb/s semi-cooled operation was attained for AlGaInAs electroabsorption modulator integrated AlGaInAs $\lambda$/4-shifted DFB lasers. At 53degC, a 10-Gb/s 100-km transmission was achieved with an average fiber output power of +3.0 dBm. |
| キーワード |
(和) |
電界吸収型変調器集積DFBレーザ / AlGaInAs / / / / / / |
| (英) |
Electroabsorption Modulator Integrated DFB Laser (EML) / AlGaInAs / / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 372, LQE2007-114, pp. 7-10, 2007年12月. |
| 資料番号 |
LQE2007-114 |
| 発行日 |
2007-11-30 (LQE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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