| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2007-12-14 16:55
選択成長を用いたSOI基板上Ge pin フォトダイオ-ドのレスポンシビティスペクトラム
○朴 成鳳・石川靖彦・和田一実（東大）・土澤 泰・渡辺俊文・山田浩治・板橋聖一（NTT） |
| 抄録 |
（和） |
(まだ登録されていません) |
| （英） |
We investigated the strain effect on spectral responsivity of Ge photodiodes. Ge vertical pin photodiodes with the size of 10x200 (m) were fabricated via selective epitaxial growth (SEG) of Ge on a Si-on-insulator substrate (SOI). The responsivity spectrum was extended to the longer wavelength regime (absorption red-shift) than the absorption spectrum of an unstrained Ge, which is due to tensile strain in the Ge mesa. However, the degree of the red-shift was diminished compared to the photodiode fabricated by Ge blanket growth on bulk Si substrates. This indicates that the selective Ge mesa on SOI is less strained than the blanket Ge on a bulk Si. By utilizing the localized reciprocal space mapping, the strain distribution in the selective Ge mesa was described. As experimental parameters such as Ge thickness, annealing temperature and annealing duration were fixed, strains in Ge epilayers on a SOI and a bulk Si substrates were compared. The mechanisms of decrease of responsivity red-shift in the photodiode fabricated by Ge SEG on SOI will be discussed. |
| キーワード |
（和） |
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| （英） |
Ge photodiode / selective epitaxial growth / Si-on-insulator / responsivity / strain relaxation / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 389, OPE2007-144, pp. 47-51, 2007年12月. |
| 資料番号 |
OPE2007-144 |
| 発行日 |
2007-12-07 (OPE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
OPE |
| 開催期間 |
2007-12-14 - 2007-12-14 |
| 開催地（和） |
機械振興会館 |
| 開催地（英） |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） |
光パッシブコンポネント（フィルタ，コネクタ，MEMS）、シリコンフォトニクス、光ファイバ、一般 |
| テーマ（英） |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
OPE |
| 会議コード |
2007-12-OPE |
| 本文の言語 |
英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） |
選択成長を用いたSOI基板上Ge pin フォトダイオ-ドのレスポンシビティスペクトラム |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
Spectral responsivity of Ge pin photodiodes on silicon-on-insulator via selective epitaxial growth |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
/ Ge photodiode |
| キーワード(2)（和/英） |
/ selective epitaxial growth |
| キーワード(3)（和/英） |
/ Si-on-insulator |
| キーワード(4)（和/英） |
/ responsivity |
| キーワード(5)（和/英） |
/ strain relaxation |
| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
朴 成鳳 / Sungbong Park / パク ソンボン |
| 第1著者 所属（和/英） |
東京大学 (略称： 東大)
University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
石川 靖彦 / Yasuhiko Ishikawa / イシカワ ヤスヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） |
東京大学 (略称： 東大)
University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
和田 一実 / Kazumi Wada / ワダ カズミ |
| 第3著者 所属（和/英） |
東京大学 (略称： 東大)
University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
土澤 泰 / Tai Tsuchizawa / ツチザワ タイ |
| 第4著者 所属（和/英） |
NTT (略称： NTT)
NTT (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
渡辺 俊文 / Toshifumi Watanabe / ワタナベ トシフミ |
| 第5著者 所属（和/英） |
NTT (略称： NTT)
NTT (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
山田 浩治 / Koji Yamada / ヤマダ コウジ |
| 第6著者 所属（和/英） |
NTT (略称： NTT)
NTT (略称： NTT) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
板橋 聖一 / Seiichi Itabashi / イタバシ セイイチ |
| 第7著者 所属（和/英） |
NTT (略称： NTT)
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| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2007-12-14 16:55:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
OPE |
| 資料番号 |
OPE2007-144 |
| 巻番号（vol） |
vol.107 |
| 号番号（no） |
no.389 |
| ページ範囲 |
pp.47-51 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2007-12-07 (OPE) |