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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-01-16 16:15 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET ○柴田大輔・上本康裕・柳原 学・石田秀俊（松下電器）・永井秀一（Panasonic Boston Lab.）・松尾尚慶（松下電器）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.）・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器）  ED2007-213 MW2007-144 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-213 MW2007-144 |
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| 抄録 | （和） | 我々は、サファイア基板に形成したビアホールと厚膜多結晶AlNパッシベーションにより、従来の限界を超えた高耐圧でかつ低抵抗なAlGaN/GaN HFETを開発することに成功した。本開発では、サファイアを貫通するビアホールを形成することでドレイン電極を基板裏面に配置し、ウエハ表面での高電圧配線の引回しによる耐圧低下を回避した。また、縁破壊電界が高い多結晶AlN膜を用いることでフィールドプレート直下でのパッシベーション膜の絶縁破壊を抑制し、高電圧にも耐えるフィールドプレートを実現した。作製したAlGaN/GaN HFETは良好なトランジスタ特性を示し、耐圧10400V、オン抵抗186 mΩcm2を得た。これまでに報告されたGaN系トランジスタの中で最も高い耐圧を実現することができた。 |
| （英） | We report ultra high blocking voltage AlGaN/GaN heterojunction transistors (HFETs) on sapphire using via-holes and thick poly-crystalline AlN (poly-AlN) passivation. Extremely high blocking voltage (BVds) of 10400V is achieved while maintaining relative low specific on-state resistance (Ron•A) of 186mohm•cm2.Via-holes through sapphire at the drain electrodes enable very efficient layout of the lateral HFET array as well as better heat dissipation. The obtained blocking voltage of 10400V is the highest value ever reported for GaN-based transistors | |
| キーワード | （和） | GaN / 高耐圧 / サファイア基板 / ビアホール / フィールドプレート / パワーデバイス / 低オン抵抗 / |
| （英） | GaN / high breakdown voltage / sapphire substrate / via-hole / field plate / high power switching device / low specific on-state resistance / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 420, ED2007-213, pp. 39-43, 2008年1月. | |
| 資料番号 | ED2007-213 | |
| 発行日 | 2008-01-09 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-213 MW2007-144 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-213 MW2007-144 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2008-01-16 - 2008-01-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ＩＣ及び超高速・超高周波デバイス |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC, High-speed and high-frequency devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 10400V Blocking Voltage AlGaN/GaN Power HFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 高耐圧 / high breakdown voltage |
| キーワード(3)（和/英） | サファイア基板 / sapphire substrate |
| キーワード(4)（和/英） | ビアホール / via-hole |
| キーワード(5)（和/英） | フィールドプレート / field plate |
| キーワード(6)（和/英） | パワーデバイス / high power switching device |
| キーワード(7)（和/英） | 低オン抵抗 / low specific on-state resistance |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴田 大輔 / Daisuke Shibata / シバタ ダイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 松下電器産業 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. (略称： Panasonic) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上本 康裕 / Yasuhiro Uemoto / ウエモト ヤスヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 松下電器産業 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. (略称： Panasonic) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳原 学 / Manabu Yanagihara / ヤナギハラ マナブ |
| 第3著者 所属（和/英） | 松下電器産業 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. (略称： Panasonic) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 秀俊 / Hidetoshi Ishida / イシダ ヒデトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 松下電器産業 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. (略称： Panasonic) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永井 秀一 / Shuichi Nagai / ナガイ シュウイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | パナソニックボストン研究所 (略称： Panasonic Boston Lab.) Panasonic Boston Laboratory (略称： Panasonic Boston Lab.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松尾 尚慶 / Hisayoshi Matsuo / マツオ ヒサヨシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 松下電器産業 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. (略称： Panasonic) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | Ming Li / Ming Li / |
| 第7著者 所属（和/英） | パナソニックボストン研究所 (略称： Panasonic Boston Lab.) Panasonic Boston Laboratory (略称： Panasonic Boston Lab.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 哲三 / Tetsuzo Ueda / ウエダ テツゾウ |
| 第8著者 所属（和/英） | 松下電器産業 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. (略称： Panasonic) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 毅 / Tsuyoshi Tanaka / タナカ ツヨシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 松下電器産業 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. (略称： Panasonic) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 大助 / Daisuke Ueda / ウエダ ダイスケ |
| 第10著者 所属（和/英） | 松下電器産業 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. (略称： Panasonic) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-01-16 16:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-213, MW2007-144 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.420(ED), no.421(MW) |
| ページ範囲 | pp.39-43 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2008-01-09 (ED, MW) |
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