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| 講演名 | 2008-01-16 14:25 W-CDMA、WiMAX基地局用GaN HEMTドハティパワーアンプ ○佐野博昭・宇井範彦・佐野征吾（ユーディナ）  ED2007-209 MW2007-140 |
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| 抄録 | （和） | ドレイン電源電圧50VのGaN HEMTを用いた無線通信基地局用ドハティパワーアンプを2種類開発した。始めに飽和出力57.5dBm(560W)を有する2.1GHz帯ドハティパワーアンプを設計し、さらに飽和出力54dBm(250W)を有する2.5GHz帯ドハティパワーアンプを開発した。両ドハティパワーアンプは、6dBバックオフ出力点において50%以上のドレイン効率を示した。ドハティ回路は正確な大信号モデルを用いて設計され、実測データとシミュレーション結果は良く一致した。筆者らはデジタルプレディストーションシステムを用いて線形性を評価し、一般的なW-CDMA2キャリア信号（PAR=7.8dB）を使用して8dBバックオフ出力点において46%以上のドレイン効率と隣接チャネル漏洩電力抑圧比-54dBc以下を達成した。これらの優れた特性は、GaN HEMTを用いたドハティパワーアンプが無線通信基地局に適することを示したと言える。 |
| （英） | Two types of Doherty amplifiers for mobile communication base stations have been developed using GaN HEMTs biased at drain voltage of 50V. At first, a 2.1GHz-band Doherty amplifier demonstrating a saturated output power (Psat) of 57.5dBm (560W) was designed, and then a 2.5GHz-band Doherty amplifier exhibiting a Psat of 54dBm (250W) was developed. Both Doherty amplifiers showed the drain efficiency of more than 50% at 6dB back-off power. The Doherty networks were designed with accurate large signal models and the measured results were in good agreement with the simulated results. We investigated the linearity using digital pre-distortion system, and the drain efficiency of more than 46% was obtained at 8dB back-off power achieving ACLR of less than -54dBc with common W-CDMA 2-carrier signal with peak to average power ratio of 7.8dB. These superior characteristics of GaN HEMT Doherty amplifiers showed good suitability for the base station transmitter system. | |
| キーワード | （和） | ドハティ / GaN HEMT / DPD / パワーアンプ / W-CDMA / WiMAX / / |
| （英） | Doherty / GaN HEMT / DPD / power amplifier / W-CDMA / WiMAX / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 421, MW2007-140, pp. 17-22, 2008年1月. | |
| 資料番号 | MW2007-140 | |
| 発行日 | 2008-01-09 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-209 MW2007-140 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2008-01-16 - 2008-01-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ＩＣ及び超高速・超高周波デバイス |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC, High-speed and high-frequency devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2008-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | W-CDMA、WiMAX基地局用GaN HEMTドハティパワーアンプ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN HEMT Doherty Amplifiers for W-CDMA and WiMAX Base Station Applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ドハティ / Doherty |
| キーワード(2)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | DPD / DPD |
| キーワード(4)（和/英） | パワーアンプ / power amplifier |
| キーワード(5)（和/英） | W-CDMA / W-CDMA |
| キーワード(6)（和/英） | WiMAX / WiMAX |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐野 博昭 / Hiroaki Sano / サノ ヒロアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | ユーディナ デバイス株式会社 (略称： ユーディナ) Eudyna Devices Inc. (略称： Eudyna Devices) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宇井 範彦 / Norihiko Ui / ウイ ノリヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | ユーディナ デバイス株式会社 (略称： ユーディナ) Eudyna Devices Inc. (略称： Eudyna Devices) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐野 征吾 / Seigo Sano / サノ セイゴ |
| 第3著者 所属（和/英） | ユーディナ デバイス株式会社 (略称： ユーディナ) Eudyna Devices Inc. (略称： Eudyna Devices) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-01-16 14:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | ED2007-209, MW2007-140 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.420(ED), no.421(MW) |
| ページ範囲 | pp.17-22 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-01-09 (ED, MW) |
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