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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-01-16 14:50 C帯高効率高出力GaN HEMT増幅器 ○山中宏治・大塚浩志・森 一富・能登一二三（三菱電機）  ED2007-210 MW2007-141 |
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| 抄録 | （和） | GaN HEMTを用いたC帯高出力増幅器について報告する．表面パッシベーション膜の形成にCat-CVD法を用いることでカレントコラプスの問題を解消した．これにより50V動作で6.3W/mmの最大素子出力密度が得られた．また40V動作で62%の最大素子電力付加効率が得られた．これらのGaN HEMTを用いてC帯高出力増幅器を試作した．ループ発振を有効に抑圧するセル分割構造を採用することによりC帯で220W出力の増幅器出力が得られた．またトランジスタ素子の近傍の整合回路上に高調波を適切に終端するプリマッチ回路を構成することにより比帯域10%にわたって50%以上の効率を得ることができた． |
| （英） | In this paper, GaN HEMT high power amplifiers operating at C-band are presented. Cat-CVD technique and cell division configuration were employed for more than 100W output powers at C-band. 167W output power was extracted from a single chip GaN HEMT with 7W/mm power density. 2-chip amplifier have recorded 220W output power at C-band, which is the highest output power ever reported for GaN HEMT amplifiers at C-band and higher bands. Moreover, by employing a new circuit topology for simultaneous high efficiency matching at both fundamental and 2nd harmonic frequencies, more than 50% efficiency was obtained with 60W output power over 10% relative bandwidth. | |
| キーワード | （和） | GaN HEMT / 高電圧 / MODFET高出力増幅器 / パルス測定 / / / / |
| （英） | GaN HEMT / High-voltage techniques / MODFET power amplifiers / Pulse measurements / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 421, MW2007-141, pp. 23-28, 2008年1月. | |
| 資料番号 | MW2007-141 | |
| 発行日 | 2008-01-09 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-210 MW2007-141 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2008-01-16 - 2008-01-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ＩＣ及び超高速・超高周波デバイス |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC, High-speed and high-frequency devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2008-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | C帯高効率高出力GaN HEMT増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | C-band High Efficiency GaN HEMT Power Amplifiers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 高電圧 / High-voltage techniques |
| キーワード(3)（和/英） | MODFET高出力増幅器 / MODFET power amplifiers |
| キーワード(4)（和/英） | パルス測定 / Pulse measurements |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka / ヤマナカ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機(株) (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Elec. Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大塚 浩志 / Hiroshi Otsuka / オオツカ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機(株) (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Elec. Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 一富 / Kazutomi Mori / モリ カズトミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機(株) (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Elec. Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 能登 一二三 / Hifumi Noto / |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機(株) (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Elec. Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-01-16 14:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | ED2007-210, MW2007-141 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.420(ED), no.421(MW) |
| ページ範囲 | pp.23-28 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-01-09 (ED, MW) |
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