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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-01-17 11:10 Ledge パッシベーションによるInGaP/GaAs HBTの信頼性の向上 ○楊 富穎・野崎眞次・内田和男・小泉 淳（電通大）  ED2007-217 MW2007-148 |
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| 抄録 | （和） | InGaP/GaAs HBT(Heterojunction Bipolar transistors)には、メサ形状を有するため、高濃度のBase層表面が露出し、Emitter周辺で再結合電流が生じ、電流利得が低下してしまう問題がある。また、電気的なストレスにより、デバイスの特性が劣化するという信頼性に関する問題も生じる。本研究はInGaP Ledgeパッシベーションを用い、室温から高温までの電気ストレス前後のInGaP/GaAs HBTの特性を調べた。室温において、InGaP Ledge パッシベーションが非常に効果的であるが、ストレス、特に高温でストレスを加えると、InGaP Ledgeパッシベーションを行ったHBTは通常のHBTより高い電流利得を示すものの、劣化を完全に抑制することはできない。以上のLedgeパッシベーションの効果は、その幅にはよらないことも明らかとなった。 |
| （英） | Because of the exposed heavily carbor-doped GaAs base in the InGaP/GaAs HBT’s, the current gain is significantly reduced by the surface recombination in the GaAs base. We implemented the ledge passivation to suppress the surface recombination. The InGaP ledge passivation, indeed, suppresses the surface recombination and increases the current gain. Furthermore, the ledge passivation suppresses the degradation due to electrical stress. It is, however, not sufficient to maintain a high current gain after the electrical stress applied to the HBT at high temperature. | |
| キーワード | （和） | HBT(Heterojunction Bipolar Transistors) / InGaP/GaAs / 表面再結合 / InGaP Ledgeパッシベーション / InGaP Ledge幅 / 電気ストレス / / |
| （英） | Heterojunction bipolar transistors(HBT) / InGaP/GaAs / surface recombination / ledge passivation / electrical stress / temperature characteristics / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 421, MW2007-148, pp. 61-66, 2008年1月. | |
| 資料番号 | MW2007-148 | |
| 発行日 | 2008-01-09 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-217 MW2007-148 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2008-01-16 - 2008-01-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ＩＣ及び超高速・超高周波デバイス |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC, High-speed and high-frequency devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2008-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ledge パッシベーションによるInGaP/GaAs HBTの信頼性の向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement in reliability of InGaP/GaAs HBT's by ledge passivation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | HBT(Heterojunction Bipolar Transistors) / Heterojunction bipolar transistors(HBT) |
| キーワード(2)（和/英） | InGaP/GaAs / InGaP/GaAs |
| キーワード(3)（和/英） | 表面再結合 / surface recombination |
| キーワード(4)（和/英） | InGaP Ledgeパッシベーション / ledge passivation |
| キーワード(5)（和/英） | InGaP Ledge幅 / electrical stress |
| キーワード(6)（和/英） | 電気ストレス / temperature characteristics |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 楊 富穎 / Fu-Ying Yang / ヨウ フエイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野崎 眞次 / Shinji Nozaki / ノザキ シンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 和男 / Kazuo Uchida / コイズミ アツシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小泉 淳 / Atsushi Koizumi / |
| 第4著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-01-17 11:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | ED2007-217, MW2007-148 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.420(ED), no.421(MW) |
| ページ範囲 | pp.61-66 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-01-09 (ED, MW) |
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