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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-01-17 13:50 p+-GaAs ゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC ○播磨史生・尾藤康則・高橋英匡・岩田直高（NECエレクトロニクス）  ED2007-221 MW2007-152 |
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| 抄録 | （和） | Bluetooth Class 1 向けに1.8 Vと低電圧で動作するPAICを開発した． p+-GaAs再成長ゲート構造のヘテロ接合FETを適用することで低電圧動作を実現している．ゲインコントロール機能とシャットダウン機能を実装し， 20 dBm出力時に52 %の電力付加効率，22 dBの付随利得を得た． |
| （英） | We have developed a power amplifier IC for Bluetooth Class 1 operating at single low voltage of 1.8 V. We can realize it due to fully enhancement-mode hetero-junction FETs utilizing a re-grown p+-GaAs gate technology. The power amplifier is a highly compact design as a small package with fully integrated gain control and shutdown functions. An impressive power added efficiency of 52% at an output power of 20 dBm is achieved with an associated gain of 22 dB. Also, sufficiently low leakage current is exhibited. | |
| キーワード | （和） | 電力増幅器 / ヘテロ接合FET / 低電圧動作 / Bluetooth / / / / |
| （英） | Power Amplifiers / HJFET / Low voltage / Bluetooth / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 421, MW2007-152, pp. 83-86, 2008年1月. | |
| 資料番号 | MW2007-152 | |
| 発行日 | 2008-01-09 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-221 MW2007-152 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2008-01-16 - 2008-01-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ＩＣ及び超高速・超高周波デバイス |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC, High-speed and high-frequency devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2008-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | p+-GaAs ゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 1.8 V operation Power Amplifier IC for Bluetooth Class 1 utilizing p+-GaAs Gate Hetero-junction FET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電力増幅器 / Power Amplifiers |
| キーワード(2)（和/英） | ヘテロ接合FET / HJFET |
| キーワード(3)（和/英） | 低電圧動作 / Low voltage |
| キーワード(4)（和/英） | Bluetooth / Bluetooth |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 播磨 史生 / Fumio Harima / ハリマ フミオ |
| 第1著者 所属（和/英） | NECエレクトロクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾藤 康則 / Yasunori Bito / ビトウ ヤスノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | NECエレクトロクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 英匡 / Hidemasa Takahashi / タカハシ ヒデマサ |
| 第3著者 所属（和/英） | NECエレクトロクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩田 直高 / Naotaka Iwata / イワタ ナオタカ |
| 第4著者 所属（和/英） | NECエレクトロクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-01-17 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | ED2007-221, MW2007-152 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.420(ED), no.421(MW) |
| ページ範囲 | pp.83-86 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-01-09 (ED, MW) |
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