| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2008-01-25 13:50
［招待講演］窒化ニオブ電極を用いたオーバーダンプ型ジョセフソン接合の開発
○赤池宏之・金田亮平・長井友樹・藤巻 朗（名大） |
| 抄録 |
（和） |
本論文では、将来の単一磁束量子（SFQ）回路用接合技術として現在検討を進めている窒化ニオブ（NbN）を用いた4K動作セルフシャント型オーバーダンプ接合開発の現状について、将来展望とともに述べる。NbN接合はNbより大きなエネルギーギャップを持つため高いIcRn積が期待され、SFQ回路の高速化・受動配線線幅縮小による配線密度の向上につながる。さらに、セルフシャント型接合が実現すると、SFQ回路の高集積化が可能となる。本研究では、接合構造として超伝導体(S)－常伝導体(N)－絶縁体(I)－常伝導体(N)－超伝導体(S)接合を採用することによりセルフシャント型接合の実現を目指し、I層として窒化アルミニウム（AlN）、N層としてNbNxを用いることにした。ここでは、本接合の実現に向けてこれまでに得られた成果について述べる。 |
| （英） |
This paper describes the current status and future prospect of the development of self-shunted overdamped junctions with NbN electrodes which we have been conducting as a junction technology for future single-flux-quantum (SFQ) circuits. NbN junctions are expected to have high IcRn products because of the larger energy gap of NbN than that of Nb, and will lead to higher speed operation of SFQ circuits and higher density interconnect in the circuits due to the reduction of interconnect line width. In addition, the realization of a self-shunted junction will enable us to increase integration level of the circuits. In this work, we have adopted a superconductor (S) – normal layer (N) – insulating layer (I) – normal layer (N) – superconductor (S) junction as a junction structure for a self-shunted junction, and done AlN as an I layer and NbNx as an N layer. Here, our achievement for realization of the junction is described. |
| キーワード |
（和） |
単一磁束量子回路 / 窒化ニオブ / オーバーダンプ型ジョセフソン接合 / / / / / |
| （英） |
Single flux quantum circuits / Niobium-nitride / overdamped Josephson junctions / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 458, SCE2007-27, pp. 13-18, 2008年1月. |
| 資料番号 |
SCE2007-27 |
| 発行日 |
2008-01-18 (SCE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
| PDFダウンロード |
|
| 研究会情報 |
| 研究会 |
SCE |
| 開催期間 |
2008-01-25 - 2008-01-25 |
| 開催地（和） |
機械振興会館 |
| 開催地（英） |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） |
デジタル，一般 |
| テーマ（英） |
Digital applications |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SCE |
| 会議コード |
2008-01-SCE |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
窒化ニオブ電極を用いたオーバーダンプ型ジョセフソン接合の開発 |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
Development of overdamped Josephson junctions with NbN electrodes |
| サブタイトル（英） |
|
| キーワード(1)（和/英） |
単一磁束量子回路 / Single flux quantum circuits |
| キーワード(2)（和/英） |
窒化ニオブ / Niobium-nitride |
| キーワード(3)（和/英） |
オーバーダンプ型ジョセフソン接合 / overdamped Josephson junctions |
| キーワード(4)（和/英） |
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| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
赤池 宏之 / Hiroyuki Akaike / アカイケ ヒロユキ |
| 第1著者 所属（和/英） |
名古屋大学 (略称： 名大)
Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
金田 亮平 / Ryouhei Kanada / カナダ リョウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） |
名古屋大学 (略称： 名大)
Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
長井 友樹 / Yuki Nagai / ナガイ ユウキ |
| 第3著者 所属（和/英） |
名古屋大学 (略称： 名大)
Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
藤巻 朗 / Akira Fujimaki / フジマキ アキラ |
| 第4著者 所属（和/英） |
名古屋大学 (略称： 名大)
Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2008-01-25 13:50:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SCE |
| 資料番号 |
SCE2007-27 |
| 巻番号（vol） |
vol.107 |
| 号番号（no） |
no.458 |
| ページ範囲 |
pp.13-18 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2008-01-18 (SCE) |