| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2008-01-25 14:15
Al系超伝導トンネル接合素子の作製と評価
○鎌田幸佑・田井野 徹（埼玉大）・佐藤広海（理研）・明連広昭・高田 進（埼玉大） |
| 抄録 |
（和） |
我々はフォトリソグラフィ技術とドライエッチングを用いてAl系超伝導トンネル接合(Al-STJ)素子を作製することに成功した。Alはドライエッチングが難しいため、正規分布関数(Normal Distribution Function:NDF)形状のような微細な電極パターンを形成することは困難である。我々は誘導結合方式(Inductively Coupled Plasma:ICP)を用いて高密度プラズマを発生させることで、Alのドライエッチングを可能としAl-STJの作製を行った。
NDF形状(σ=0.45)で、接合面積が2,500μm2と10,000μm2のAl-STJを作製した。0.4KにおいてI-V特性を測定し、Vg=0.38mV、IL@0.2mV=50nA(面積2,500μm2の場合)と良好な特性を得た。 |
| （英） |
We successfully fabricated the aluminum based superconducting tunnel junctions (Al-STJs) which used photolithography technique and dry etching process. Since it is not easy to dry etch the aluminum, we cannot form fine electrode pattern like shape of normal distribution function using the conventional reactive etching method. We took the inductively coupled plasma (ICP) on electrical discharge method and enabled dry etch the Al film. We could fabricate the Al-STJs by dry etching method with ICP.
We fabricated STJ detectors with the shape of normal distribution function (σ=0.45) and junction sizes of 2,500μm2 and 10,000μm2. We measured I-V characteristic at 0.4K and obtained Vg=0.38mV、IL@0.2mV=50nA (junction size of 2,500μm2). |
| キーワード |
（和） |
Al / 超伝導トンネル接合素子(STJ) / フォトン検出器 / / / / / |
| （英） |
Al / Superconducting Tunnel Junction(STJ) / Photon detector / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 458, SCE2007-28, pp. 19-22, 2008年1月. |
| 資料番号 |
SCE2007-28 |
| 発行日 |
2008-01-18 (SCE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
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