| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2008-01-25 13:00
［招待講演］SFQ回路用高温超伝導ジョセフソン接合の開発
○若菜裕紀・安達成司・波頭経裕・丸山道隆・樽谷良信・田辺圭一（超電導工学研） |
| 抄録 |
（和） |
我々は、高温超伝導体を用いたSFQ(単一磁束量子)回路応用を目的とし、薄膜積層構造作製プロセスや接合作製プロセスの開発をこれまで行ってきた。SFQ回路の高速動作、サンプラー回路の広帯域化(≧100 GHz)を実現するためには、高いIcRn積を有する接合の作製プロセス確立が必要不可欠である。そこで我々は、新たにCu-poor前駆体プロセスを開発し、40 Kで最高1.3 mVの高いIcRn積を得ることに成功した。また、サンプラー回路作製プロセスでは、接合形成後に10ステップ以上のプロセスを必要とする。接合形成後に、室温でおおよその接合特性を把握し、チップを選別することができれば、プロセス時間の大幅な短縮が可能となる。そこで我々は、室温での接合抵抗を評価するための専用TEGを開発し、40 K動作が可能な試料か否かの判別を可能とした。これらの接合作製プロセス及び評価技術を用いることで、A/Dコンバータの要素回路の動作実証や、サンプラー回路を用いた50 GHzの信号波形観測に成功した。 |
| （英） |
We have developed the fabrication process of a multilayer structure and a ramp-edge Josephson junction for single flux quantum (SFQ) circuit application using a high-temperature superconductor (HTS). For operation of SFQ circuits and a sampler with a bandwidth more than 100 GHz, establishment of the fabrication process for junctions with high IcRn products is indispensable by developing the Cu-poor precursor process. We obtained IcRn products up to 1.3 mV at 40 K. We found that Ic level of the junction at 40 K well correlated with the junction resistance at room temperature. We also developed a JJ-TEG for evaluation of junction resistance at room temperature. This JJ-TEG was used to judge whether it could be operated at 40 K. Operations of several types of SFQ circuit elements for an A/D converter and a sampler circuit with bandwidth well over 50 GHz have been successfully demonstrated by using this fabrication process and evaluation method. |
| キーワード |
（和） |
SFQ回路 / ランプエッジ接合 / 高温超伝導体 / / / / / |
| （英） |
SFQ circuit / ramp-edge Josephson junction / high-temperature superconductor / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 458, SCE2007-25, pp. 1-6, 2008年1月. |
| 資料番号 |
SCE2007-25 |
| 発行日 |
2008-01-18 (SCE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
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