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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-01-29 09:55 分子線エピタキシー法によるGaAs1-xBix/GaAs多重量子井戸構造の製作 ○木下雄介・富永依里子・尾江邦重・吉本昌広（京都工繊大）  PN2007-56 OPE2007-164 LQE2007-142 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2007-164 LQE2007-142 |
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| 抄録 | （和） | 温度無依存発振波長を持つ新規半導体レーザ製作に向けて、GaAs基板上にGaAs1-xBix/GaAs多重量子井戸(MQW)構造を分子線エピタキシー(MBE)法により製作した。MQW構造からのX線回折(XRD)パタ―ンにサテライトピークが見られ、MQW構造が製作できていることを確認した。MQW試料のホトルミネセンス(PL)のピークエネルギーは井戸層厚を小さくするにつれてブルーシフトした。これは量子サイズ効果によるものといえる。700℃以下の温度範囲でアニールした試料のXRDパターンのピーク強度やピーク位置に変化は見られなかった。PLピークエネルギーにも大きな変化が見られず、700℃以下でGaAs1-xBix/GaAs-MQW構造は熱的に安定であった。 |
| （英） | GaAs1-xBix/GaAs multi-quantum well (MQW) structures were grown on GaAs substrate by molecular beam epitaxy (MBE) towards a new semiconductor laser diode with a temperature-insensitive wavelength. Satellite peaks ascribed to the MQW structure were observed in the X-ray diffraction (XRD) measurement. With decreasing the well width of MQW, the photoluminescence (PL) peak energy increased, indicating the quantum size effect. Both intensities and position of the satellite peaks of MQW in XRD did not change, and the PL peak energy was kept constant, after annealing at temperatures less than 700℃. This confirms the thermal stability of the GaAs1-xBix/GaAs MQW structure. | |
| キーワード | （和） | GaAs / GaAsBi / 半金属 / 多重量子井戸 / MBE / / / |
| （英） | GaAs / GaAsBi / semimetal / multi-quantum wells / molecular beam epitaxy / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 466, LQE2007-142, pp. 107-110, 2008年1月. | |
| 資料番号 | LQE2007-142 | |
| 発行日 | 2008-01-21 (PN, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | PN2007-56 OPE2007-164 LQE2007-142 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2007-164 LQE2007-142 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMT LQE OPE PN |
| 開催期間 | 2008-01-28 - 2008-01-29 |
| 開催地（和） | 大阪電気通信大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | フォトニックNW・デバイス，フォトニック結晶・ファイバとその応用，光集積回路，光導波路素子，光スイッチング，導波路解析，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2008-01-EMT-LQE-OPE-PN |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 分子線エピタキシー法によるGaAs1-xBix/GaAs多重量子井戸構造の製作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaAsBi/GaAs Multi-Quantum Wells by Molecular Beam Epitaxy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(2)（和/英） | GaAsBi / GaAsBi |
| キーワード(3)（和/英） | 半金属 / semimetal |
| キーワード(4)（和/英） | 多重量子井戸 / multi-quantum wells |
| キーワード(5)（和/英） | MBE / molecular beam epitaxy |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 雄介 / Yusuke Kinoshita / キノシタ ユウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： Kyoto Inst.Tec.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 富永 依里子 / Yoriko Tominaga / トミナガ ヨリコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： Kyoto Inst.Tec.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾江 邦重 / Kunishige Oe / オエ クニシゲ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： Kyoto Inst.Tec.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉本 昌広 / Masahiro Yoshimoto / ヨシモト マサヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： Kyoto Inst.Tec.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-01-29 09:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | PN2007-56, OPE2007-164, LQE2007-142 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.464(PN), no.465(OPE), no.466(LQE) |
| ページ範囲 | pp.107-110 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-01-21 (PN, OPE, LQE) |
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