| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2008-01-31 09:50
集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案
○塙 裕一郎・坂田拓也・惣田崇志・韓 貴・森井久史・松原勝見・山下 進（静岡大）・長尾昌善・金丸正剛（産総研）・根尾陽一郎・青木 徹・三村秀典（静岡大）  ED2007-246 SDM2007-257 |
| 抄録 |
（和） |
高解像度X線画像の取得を目標として、FEAとCdTe素子を対向に配置したFEA駆動CdTe-X線イメージセンサを提案し、１画素における原理検証において良好な結果を得た。更に12×12画素における画像取得に向けてマトリクス駆動FEAの試作を行った。またCdTe-X線イメージセンサのさらなる高解像度化を図るため、電子ビームの集束レンズを同一基板内に有したダブルゲート構造FEAの提案・開発を行った。エッチバック法を用い、ダブルゲート構造FEAを作製・評価した結果、集束電極の高さを最適化することで集束動作に伴う放射電流量減少を改善し、良好なビーム集束特性を確認できた。これらの結果から、ダブルゲート構造FEAを用いたFEA駆動CdTe-X線高精細イメージセンサが実現できると考えられる。 |
| （英） |
We proposed a novel CdTe X-ray image sensor, which was driven by the FEA, to obtain high spatial resolution X-ray images and have demonstrated the principle operation by using the CdTe image sensor with one pixel. We have also fabricated a FEA matrix with 12×12 pixels to obtain X-ray images. For the further improvement of spatial resolution in the CdTe image sensor, we have proposed a novel double-gated FEA with a focusing lens, which was fabricated by using the etch-back method. The double-gated FEA showed a good focusing characteristic without significant decrease of the emission current, when the height of the focus electrode was optimized. The CdTe image sensor driven by the double-gated FEA is promising for an ultra-high-resolution X-ray image sensor. |
| キーワード |
（和） |
CdTe-X線イメージセンサ / M-π-n型CdTeダイオード / マトリクス駆動FEA / ダブルゲート構造FEA / / / / |
| （英） |
CdTe X-ray image sensor / M-π-n structured CdTe diode / Matrix FEA / Double-gated FEA / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 474, SDM2007-257, pp. 47-50, 2008年1月. |
| 資料番号 |
SDM2007-257 |
| 発行日 |
2008-01-23 (ED, SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に
ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
ED2007-246 SDM2007-257 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
ED SDM |
| 開催期間 |
2008-01-30 - 2008-01-31 |
| 開催地（和） |
北海道大学 |
| 開催地（英） |
|
| テーマ（和） |
機能ナノデバイスとおよび関連技術 |
| テーマ（英） |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2008-01-ED-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案 |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
Proposal of CdTe X-ray image sensor driven by FEA with focusing electrode |
| サブタイトル（英） |
|
| キーワード(1)（和/英） |
CdTe-X線イメージセンサ / CdTe X-ray image sensor |
| キーワード(2)（和/英） |
M-π-n型CdTeダイオード / M-π-n structured CdTe diode |
| キーワード(3)（和/英） |
マトリクス駆動FEA / Matrix FEA |
| キーワード(4)（和/英） |
ダブルゲート構造FEA / Double-gated FEA |
| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
塙 裕一郎 / Yuichiro Hanawa / ハナワ ユウイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） |
静岡大学電子工学研究所 (略称： 静岡大)
Research Institute of Electronics, Shizuoka University (略称： RIE. Shizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
坂田 拓也 / Takuya Sakata / サカタ タクヤ |
| 第2著者 所属（和/英） |
静岡大学電子工学研究所 (略称： 静岡大)
Research Institute of Electronics, Shizuoka University (略称： RIE. Shizuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
惣田 崇志 / Takashi Soda / ソウダ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） |
静岡大学電子工学研究所 (略称： 静岡大)
Research Institute of Electronics, Shizuoka University (略称： RIE. Shizuoka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
韓 貴 / Gui Han / ハン グイ |
| 第4著者 所属（和/英） |
静岡大学電子工学研究所 (略称： 静岡大)
Research Institute of Electronics, Shizuoka University (略称： RIE. Shizuoka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
森井 久史 / Hisashi Morii / モリイ ヒサシ |
| 第5著者 所属（和/英） |
静岡大学電子工学研究所 (略称： 静岡大)
Research Institute of Electronics, Shizuoka University (略称： RIE. Shizuoka Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
松原 勝見 / Katsumi Matsubara / マツバラ カツミ |
| 第6著者 所属（和/英） |
静岡大学電子工学研究所 (略称： 静岡大)
Research Institute of Electronics, Shizuoka University (略称： RIE. Shizuoka Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
山下 進 / Susumu Yamashita / ヤマシタ ススム |
| 第7著者 所属（和/英） |
静岡大学電子工学研究所 (略称： 静岡大)
Research Institute of Electronics, Shizuoka University (略称： RIE. Shizuoka Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
長尾 昌善 / Masayoshi Nagao / ナガオ マサヨシ |
| 第8著者 所属（和/英） |
産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） |
金丸 正剛 / Seigo Kanemaru / カネマル セイゴウ |
| 第9著者 所属（和/英） |
産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） |
根尾 陽一郎 / Yoichiro Neo / ネオ ヨウイチロウ |
| 第10著者 所属（和/英） |
静岡大学電子工学研究所 (略称： 静岡大)
Research Institute of Electronics, Shizuoka University (略称： RIE. Shizuoka Univ.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） |
青木 徹 / Toru Aoki / アオキ トオル |
| 第11著者 所属（和/英） |
静岡大学電子工学研究所 (略称： 静岡大)
Research Institute of Electronics, Shizuoka University (略称： RIE. Shizuoka Univ.) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） |
三村 秀典 / Hidenori Mimura / ミムラ ヒデノリ |
| 第12著者 所属（和/英） |
静岡大学電子工学研究所 (略称： 静岡大)
Research Institute of Electronics, Shizuoka University (略称： RIE. Shizuoka Univ.) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第34著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 所属（和/英） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2008-01-31 09:50:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
ED2007-246, SDM2007-257 |
| 巻番号（vol） |
vol.107 |
| 号番号（no） |
no.473(ED), no.474(SDM) |
| ページ範囲 |
pp.47-50 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2008-01-23 (ED, SDM) |