講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-01-31 09:25
カーボンナノチューブ単電子トランジスタの高温動作に向けて ○森 貴洋(理研)・佐藤俊介・大村一夫(理研/東京理科大)・内田勝美・矢島博文(東京理科大)・石橋幸治(理研/JST) ED2007-245 SDM2007-256 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-245 SDM2007-256 |
抄録 |
(和) |
単層カーボンナノチューブは単電子トランジスタの構成材料として極めて有望な材料である。我々はカーボンナノチューブ単電子トランジスタの室温動作に向けて、動作温度の向上を図っている。その温度特性は、クーロンアイランドを形成するバリアの特性が大きな決定要因となっている。本報告では我々の高温動作に向けてのアプローチとして、有機高分子によるバリア特性を改善する手法と、イオンビーム照射によって導入される部分的な高抵抗部をバリアに用いる手法について報告する。現在のところ、これらの手法によってそれぞれ80Kおよび120Kでの動作を確認している。 |
(英) |
Single-walled carbon nanotubes (SWNTs) are promising candidates for the building block of the single electron transistor (SET). To achieve the room-temperature operation, we tried to improve the temperature characteristics of the SWNT-SETs. The barriers, which confine electrons in the Coulomb island, dominate the temperature characteristics of the SWNT-SETs mainly. We report our approaches to form the “good” barriers. Two approaches are under way, one is the method for the barrier characteristics improvement with an organic material, and the other is the barrier formation with the defects induced by ion beam. We achieved the operation temperature of 80K and 120K, by the respective methods. |
キーワード |
(和) |
カーボンナノチューブ / 単電子トランジスタ / / / / / / |
(英) |
carbon nanotube / single electron transistor / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 473, ED2007-245, pp. 43-46, 2008年1月. |
資料番号 |
ED2007-245 |
発行日 |
2008-01-23 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2007-245 SDM2007-256 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-245 SDM2007-256 |