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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-01-31 09:25 カーボンナノチューブ単電子トランジスタの高温動作に向けて ○森 貴洋（理研）・佐藤俊介・大村一夫（理研/東京理科大）・内田勝美・矢島博文（東京理科大）・石橋幸治（理研/JST）  ED2007-245 SDM2007-256 |
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| 抄録 | （和） | 単層カーボンナノチューブは単電子トランジスタの構成材料として極めて有望な材料である。我々はカーボンナノチューブ単電子トランジスタの室温動作に向けて、動作温度の向上を図っている。その温度特性は、クーロンアイランドを形成するバリアの特性が大きな決定要因となっている。本報告では我々の高温動作に向けてのアプローチとして、有機高分子によるバリア特性を改善する手法と、イオンビーム照射によって導入される部分的な高抵抗部をバリアに用いる手法について報告する。現在のところ、これらの手法によってそれぞれ80Kおよび120Kでの動作を確認している。 |
| （英） | Single-walled carbon nanotubes (SWNTs) are promising candidates for the building block of the single electron transistor (SET). To achieve the room-temperature operation, we tried to improve the temperature characteristics of the SWNT-SETs. The barriers, which confine electrons in the Coulomb island, dominate the temperature characteristics of the SWNT-SETs mainly. We report our approaches to form the “good” barriers. Two approaches are under way, one is the method for the barrier characteristics improvement with an organic material, and the other is the barrier formation with the defects induced by ion beam. We achieved the operation temperature of 80K and 120K, by the respective methods. | |
| キーワード | （和） | カーボンナノチューブ / 単電子トランジスタ / / / / / / |
| （英） | carbon nanotube / single electron transistor / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 473, ED2007-245, pp. 43-46, 2008年1月. | |
| 資料番号 | ED2007-245 | |
| 発行日 | 2008-01-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-245 SDM2007-256 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2008-01-30 - 2008-01-31 |
| 開催地（和） | 北海道大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスとおよび関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-01-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | カーボンナノチューブ単電子トランジスタの高温動作に向けて |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Approaches to the high temperature operation of the carbon nanotube single electron transistor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | カーボンナノチューブ / carbon nanotube |
| キーワード(2)（和/英） | 単電子トランジスタ / single electron transistor |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 貴洋 / Takahiro Mori / モリ タカヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) RIKEN (略称： RIKEN) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 俊介 / Shunsuke Sato / サトウ シュンスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 理研/東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大村 一夫 / Kazuo Omura / オオムラ カズオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 理研/東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 勝美 / Katsumi Uchida / ウチダ カツミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢島 博文 / Hirofumi Yajima / ヤジマ ヒロフミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石橋 幸治 / Koji Ishibashi / イシバシ コウジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研/JST) RIKEN (略称： RIKEN) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-01-31 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-245, SDM2007-256 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.473(ED), no.474(SDM) |
| ページ範囲 | pp.43-46 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-01-23 (ED, SDM) |
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