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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-03-06 10:05 MTCMOS回路を利用したオンチップ・リークモニタの設計と評価 ○小山 慧・武田清大・宇佐美公良（芝浦工大）  VLD2007-146 ICD2007-169 |
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| 抄録 | （和） | 先端プロセスでは温度やプロセスばらつきによってリーク電流は大きく変動する。 設計時に個々のチップのリーク電流を正確に予測することは困難であり、チップ単体でのリーク電流測定機能が求められている。 MTCMOS 回路の仮想グランド線電圧は、回路のスリープ中リーク電流によって寄生容量を充電されて上昇するという性質を持つ。 この性質を利用したリークモニタ回路をASPLA90nm プロセスにて設計し、シミュレーションによる解析を行った。 シミュレーションの結果、プロセス条件Typical コーナー、温度25℃、動作周波数200MHz で動作させた場合、モニタにかかった時間は165ns で、リーク電流に対する精度は6%であった。 また消費電力は、モニタ状態で29μW、待機状態で15μWとなった。 |
| （英） | On cutting-edge semiconductor process, leakage current varies drastically due to process variation and temperature changes. At the circuit design stage, it is difficult to estimate the amount of leakage current at every manufactured chip. Therefore an on-chip function of measuring leakage current is required. The Virtual-ground (VGND) voltage of MTCMOS circuits increasing during the sleep operation, because parasitic capacitance of VGND line is charged up be the leakage current. Applying this behavior, we design leakage monitor circuits using ASPLA 90nm technology and analyze designed circuits. Simulation results show that monitor-delay-time is 165ns and monitor-accuracy is 6% under process condition typical, temperature 25 degrees C and operation frequency 200MHz. Power dissipation of designed circuits is 29μW in monitoring mode and 15μW in standby mode. |
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| キーワード | （和） | MTCMOS回路 / リーク電力 / / / / / / |
| （英） | MTCMOS circuits / Leakage Power / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 507, VLD2007-146, pp. 13-18, 2008年3月. | |
| 資料番号 | VLD2007-146 | |
| 発行日 | 2008-02-28 (VLD, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2007-146 ICD2007-169 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD ICD |
| 開催期間 | 2008-03-05 - 2008-03-07 |
| 開催地（和） | 沖縄県男女共同参画センター |
| 開催地（英） | TiRuRu |
| テーマ（和） | システムオンシリコン設計技術ならびにこれを活用したVLSI <オーガナイザ：張山 昌論(東北大学)> |
| テーマ（英） | System-on-silicon design techniques and related VLSs |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | VLD |
| 会議コード | 2008-03-VLD-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MTCMOS回路を利用したオンチップ・リークモニタの設計と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design and Analysis of on-chip leakage monitor using MTCMOS |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MTCMOS回路 / MTCMOS circuits |
| キーワード(2)（和/英） | リーク電力 / Leakage Power |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小山 慧 / Satoshi Koyama / コヤマ サトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura institute of technology (略称： S.I.T.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武田 清大 / Seidai Takeda / タケダ セイダイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura institute of technology (略称： S.I.T.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami / ウサミ キミヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura institute of technology (略称： S.I.T.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-03-06 10:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | VLD |
| 資料番号 | VLD2007-146, ICD2007-169 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.507(VLD), no.510(ICD) |
| ページ範囲 | pp.13-18 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-02-28 (VLD, ICD) |
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