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講演抄録/キーワード
講演名 2008-03-06 13:30
[招待講演]有機FETの動作機構に及ぼす界面の影響
木村康男勝間田 尭大場朋央東北大)・石井久夫千葉大)・庭野道夫東北大ED2007-252
抄録 (和) 有機FET(OFET)には多くの界面が存在する。それらの界面は、そのFET動作に大きな影響を及ぼす。例えば、ゲート絶縁膜の種類や、その表面処理によりOFETの特性が変化することが知られている。また、金属電極/有機膜界面は、電荷注入現象と深く関わっている。有機FETの特性を向上させるためには、OFETの特性に与える界面の影響を解明し、それを制御しなければならい。または、界面の影響を抑制した新しい型のOFETを開発しなければならない。しかしながら、その注入現象がOFETの動作機構にたしてどのような影響を及ぼすか解明されていない。そこで、本研究では、ルブレン単結晶を用いて、有機FETの動作機構に及ぼす界面の影響について調べた。その結果、OFETの飽和ドレイン電流の値が、チャネルの蓄積電荷量ではなく、熱電界放出理論で説明させる電荷注入特性が律速している場合があることがわかった。さらに、ドーピングされたポリチオフェン(poly (3-hexylthiophene), P3HT)薄膜を用い、その空乏層幅で電気的特性を制御するOFETの試作を行い、その特性を評価した。 
(英) An organic FET (OFET) has some interfaces. The interfaces influence its characteristics. For example, it well-known that the characteristics depend on a material of the gate insulator or surface treatment of it. The metal/organic interfaces affects the carrier injection phenomenon from a metal to an organic film, which depends on the characteristics of an OFET. For improvement the performance of an OFET, It is important to elucidate the influence of the interface on the operation mechanism of an OFET and to control them or it is necessary to develop an OFET of which the performance does not depend on interfaces. However, the influence of the interfaces has not been elucidated. Here, in this study, we investigated the influence of the interfaces on the characteristics of an OFET using a rubrene single crystal and we found that the saturation drain current can depend strongly on the thermal field emission of holes from the source metal to the organic film, and not accumulated charges in the channel. Furthermore, we fabricated and characterized an OFET using a doped poly (3-hexylthiophene) (P3HT) film, which was controlled by the depletion layer width.
キーワード (和) 有機電界効果トランジスタ / 単結晶 / 電荷注入 / 界面 / 空乏 / / /  
(英) Organic field effect transistor / single crystal / carrier injection / interface / depletion / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 512, ED2007-252, pp. 1-6, 2008年3月.
資料番号 ED2007-252 
発行日 2008-02-28 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2007-252

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2008-03-06 - 2008-03-07 
開催地(和) 伝国の杜(米沢) 
開催地(英)  
テーマ(和) 「特別ワークショップ」電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望 
テーマ(英) DENKOKU NO MORI 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2008-03-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 有機FETの動作機構に及ぼす界面の影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Influence of interfaces on the operation mechanism of an organic FET 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 有機電界効果トランジスタ / Organic field effect transistor  
キーワード(2)(和/英) 単結晶 / single crystal  
キーワード(3)(和/英) 電荷注入 / carrier injection  
キーワード(4)(和/英) 界面 / interface  
キーワード(5)(和/英) 空乏 / depletion  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 康男 / Yasuo Kimura / キムラ ヤスオ
第1著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設 (略称: 東北大)
Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 勝間田 尭 / Takashi Katsumata / カツマタ タカシ
第2著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設 (略称: 東北大)
Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大場 朋央 / Tomohisa Oba / オオバ トモヒサ
第3著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設 (略称: 東北大)
Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 石井 久夫 / Hisao Ishii / イシイ ヒサオ
第4著者 所属(和/英) 千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 庭野 道夫 / Michio Niwano / ニワノ ミチオ
第5著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設 (略称: 東北大)
Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-03-06 13:30:00 
発表時間 35分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2007-252 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.512 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数
発行日 2008-02-28 (ED) 


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