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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-03-07 16:10 独立したゲートを持つダブルゲートトランジスタを用いたシステムLSIの新レイアウト設計法 ○廣島 佑・岡本恵介・小泉圭輔・渡辺重佳（湘南工科大）  VLD2007-168 ICD2007-191 |
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| 抄録 | （和） | FinFET以上の高密度化が実現できる独立したゲートを持つダブルゲートトランジスタの新しいレイアウト法を提案した．最初にパターン面積の縮小効果をインバータ，NAND，NOR等の基本ゲートで定量的に検証し，パターン面積が大幅に低減出来る事がわかった．次にこれらの基本回路の組み合わせで構成される実際の通信用システムLSIへの適用検討を行ったところ従来の平面型トランジスタを用いた場合の約４８％にパターン面積が縮小できることが分かった． |
| （英） | New design technology of independent-gate controlled Double-Gate transistor realized high density design more than FinFET is proposed. Using New design technology of independent-gate controlled Double-Gate transistor, pattern area of system LSI designed by cell library can be reduced to 48% compared with that using planar MOSFET. | |
| キーワード | （和） | 独立したゲートを持つダブルゲートトランジスタ / FinFET / システムLSI / / / / / |
| （英） | Independent-gate controlled Double-Gate transistor / FinFET / system LSI / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 511, ICD2007-191, pp. 69-74, 2008年3月. | |
| 資料番号 | ICD2007-191 | |
| 発行日 | 2008-02-29 (VLD, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2007-168 ICD2007-191 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD ICD |
| 開催期間 | 2008-03-05 - 2008-03-07 |
| 開催地（和） | 沖縄県男女共同参画センター |
| 開催地（英） | TiRuRu |
| テーマ（和） | システムオンシリコン設計技術ならびにこれを活用したVLSI <オーガナイザ：張山 昌論(東北大学)> |
| テーマ（英） | System-on-silicon design techniques and related VLSs |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2008-03-VLD-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 独立したゲートを持つダブルゲートトランジスタを用いたシステムLSIの新レイアウト設計法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | New technology of independent-gate controlled Double-Gate transistor for system LSI |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 独立したゲートを持つダブルゲートトランジスタ / Independent-gate controlled Double-Gate transistor |
| キーワード(2)（和/英） | FinFET / FinFET |
| キーワード(3)（和/英） | システムLSI / system LSI |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣島 佑 / Yu Hiroshima / ヒロシマ ユウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 湘南工科大学 (略称： 湘南工科大) Shonan Institute of Technology (略称： Shonan Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡本 恵介 / Keisuke Okamoto / オカモト ケイスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 湘南工科大学 (略称： 湘南工科大) Shonan Institute of Technology (略称： Shonan Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小泉 圭輔 / Keisuke Koizumi / コイズミ ケイスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 湘南工科大学 (略称： 湘南工科大) Shonan Institute of Technology (略称： Shonan Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe / ワタナベ シゲヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 湘南工科大学 (略称： 湘南工科大) Shonan Institute of Technology (略称： Shonan Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-03-07 16:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | VLD2007-168, ICD2007-191 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.508(VLD), no.511(ICD) |
| ページ範囲 | pp.69-74 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-02-29 (VLD, ICD) |
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