講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-03-14 15:00
先鋭マイクロバンプによる高密度・低温・エリア接続チップ積層技術 渡辺直也(くまもとテクノ)・岩崎 裕・○浅野種正(九大) SDM2007-276 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2007-276 |
抄録 |
(和) |
積層型半導体による三次元集積化を発展させる上で重要となるマイクロ接合電極によるチップ間相互接続に関わる問題を解決することを目的に、先鋭な形状をもち、荷重印加で柔軟に変形する先鋭バンプを提案している。容易に変形することから、バンプの高さバラツキによる接合不良の抑制、接合ひずみの抑制、低温接合性などの効果が発現する。Au製のバンプを用いて先鋭バンプのこれらの機能を検証した結果を述べるとともに、20$\mu$mピッチでチップ当たり10,000接点以上の接続が可能であること、150$^\circ$Cの接合温度で充分な接合強度が得られることを示す。 |
(英) |
We have proposed the compliant bump. The compliant bump, which can be made in the shape of pyramid or cone, has the potential to provides a breakthrough for 3-dimensional stacked-chip integration whose interconnections are free of restriction in design. The compliant bump easily deforms under a mechanical load, so that it can avoid defects due to incomplete bonding, reduce the strain generated at the device level, and offer bonding at low temperature. In this report, we describe the experimental results which verify these function of compliant bump. The inter-chip conennection up to 10,000 micro-joining and bonding of Au bump at 150$^\circ$C are demonstrated. |
キーワード |
(和) |
積層半導体 / 三次元LSI / 先鋭バンプ / コーンバンプ / マイクロバンプ / マイクロ接合 / 低温接合 / |
(英) |
3D-LSI / bump / micro-bump / compliant bump / chip-stack / micro-joining / active-matrix / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 549, SDM2007-276, pp. 17-20, 2008年3月. |
資料番号 |
SDM2007-276 |
発行日 |
2008-03-07 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2007-276 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2007-276 |