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講演抄録/キーワード
講演名 2008-03-14 15:00
先鋭マイクロバンプによる高密度・低温・エリア接続チップ積層技術
渡辺直也くまもとテクノ)・岩崎 裕・○浅野種正九大SDM2007-276
抄録 (和) 積層型半導体による三次元集積化を発展させる上で重要となるマイクロ接合電極によるチップ間相互接続に関わる問題を解決することを目的に、先鋭な形状をもち、荷重印加で柔軟に変形する先鋭バンプを提案している。容易に変形することから、バンプの高さバラツキによる接合不良の抑制、接合ひずみの抑制、低温接合性などの効果が発現する。Au製のバンプを用いて先鋭バンプのこれらの機能を検証した結果を述べるとともに、20$\mu$mピッチでチップ当たり10,000接点以上の接続が可能であること、150$^\circ$Cの接合温度で充分な接合強度が得られることを示す。 
(英) We have proposed the compliant bump. The compliant bump, which can be made in the shape of pyramid or cone, has the potential to provides a breakthrough for 3-dimensional stacked-chip integration whose interconnections are free of restriction in design. The compliant bump easily deforms under a mechanical load, so that it can avoid defects due to incomplete bonding, reduce the strain generated at the device level, and offer bonding at low temperature. In this report, we describe the experimental results which verify these function of compliant bump. The inter-chip conennection up to 10,000 micro-joining and bonding of Au bump at 150$^\circ$C are demonstrated.
キーワード (和) 積層半導体 / 三次元LSI / 先鋭バンプ / コーンバンプ / マイクロバンプ / マイクロ接合 / 低温接合 /  
(英) 3D-LSI / bump / micro-bump / compliant bump / chip-stack / micro-joining / active-matrix /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 549, SDM2007-276, pp. 17-20, 2008年3月.
資料番号 SDM2007-276 
発行日 2008-03-07 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード SDM2007-276

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2008-03-14 - 2008-03-14 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 不揮発メモリと関連技術および一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2008-03-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 先鋭マイクロバンプによる高密度・低温・エリア接続チップ積層技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Compliant Micro-Bumps for 3D Stacked-Chip LSIs with High Density Interconnection Implemented at Low Temperature 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 積層半導体 / 3D-LSI  
キーワード(2)(和/英) 三次元LSI / bump  
キーワード(3)(和/英) 先鋭バンプ / micro-bump  
キーワード(4)(和/英) コーンバンプ / compliant bump  
キーワード(5)(和/英) マイクロバンプ / chip-stack  
キーワード(6)(和/英) マイクロ接合 / micro-joining  
キーワード(7)(和/英) 低温接合 / active-matrix  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 直也 / Naoya Watanabe / ワタナベ ナオヤ
第1著者 所属(和/英) 財団法人くまもとテクノ産業財団 (略称: くまもとテクノ)
Kumamoto Technology and Industry Foundation (略称: Kumamoto TIF)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩崎 裕 / Yutaka Iwasaki / イワサキ ユタカ
第2著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 浅野 種正 / Tanemasa Asano / アサノ タネマサ
第3著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
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講演者 第3著者 
発表日時 2008-03-14 15:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2007-276 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.549 
ページ範囲 pp.17-20 
ページ数
発行日 2008-03-07 (SDM) 


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