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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-04-11 14:30 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ ○徳光永輔・柴田 宏・大岩朝洋・近藤洋平（東工大）  SDM2008-11 OME2008-11 |
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| 抄録 | （和） | 強誘電体と高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタの電気的特性を報告する。強誘電体や高誘電率材料は、誘起できる電荷量が従来のSiO2よりも大きいため、比較的低い動作電圧でも大きなオン電流が得られる。さらに強誘電体の場合には不揮発性のメモリ機能も発現される。本研究ではこの大電荷制御という特長を生かして、ゲート絶縁膜には強誘電体(Bi,La)4Ti3O12(BLT)および高誘電率材料のBi1.5Zn1.0Nb1.5O7（BZN）を用いて、キャリア濃度の高いインジウム・スズ酸化物（ITO）のチャネルを制御する薄膜トランジスタ（TFT）を報告する。石英基板上に形成するとこれらの素子は透明であり、７桁以上のオンオフ比を持つ良好な電気的特性が得られた。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | 薄膜トランジスタ / 酸化物半導体 / 強誘電体 / 高誘電率材料 / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 1, SDM2008-11, pp. 51-56, 2008年4月. | |
| 資料番号 | SDM2008-11 | |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-11 OME2008-11 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2008-04-11 - 2008-04-12 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | TFTの材料・デバイス技術・応用および一般 |
| テーマ（英） | TFT Materials, Devices, and Applications and Others related to SDM and OME activity |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Oxide-channel thin film transistors with ferroelectric and high-k gate insulators |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜トランジスタ / |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化物半導体 / |
| キーワード(3)（和/英） | 強誘電体 / |
| キーワード(4)（和/英） | 高誘電率材料 / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 徳光 永輔 / Eisuke Tokumitsu / トクミツ エイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴田 宏 / Hiroshi Shibata / シバタ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大岩 朝洋 / Tomohiro Oiwa / オオイワ トモヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 近藤 洋平 / Yohei Kondo / コンドウ ヨウヘイ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-04-11 14:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-11, OME2008-11 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.51-56 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) |
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