講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-04-11 13:15
ITO/AlNiNdコンタクト形成メカニズムの解明 ○河瀬和雅・本谷 宗・谷村純二(三菱電機)・津村直樹・長山顕祐・石賀展昭(メルコ・ディスプレイ・テクノロジー)・井上和式(三菱電機) SDM2008-8 OME2008-8 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-8 OME2008-8 |
抄録 |
(和) |
AlNiNd 上にITO をスパッタ成膜した際の,ITO/AlNiNd 界面の化学結合状態,結晶状態,元素分布を詳細に調べた。AlNiNd 成膜後にポストアニールしない場合,ITO/AlNiNd 界面には一様に酸化膜が形成され,電気的コンタクトが形成されない。一方,AlNiNd 成膜後にポストアニールした場合,Al3Ni 結晶相が析出し,この相はITO 成膜時に全く酸化されない。このAl3Ni 結晶相がITO とAlNiNd の間の導通パスとなるため,ITO/AlNiNd ダイレクトコンタクトが形成される。 |
(英) |
The chemical bonding state, crystallized state and element distribution near ITO/AlNiNd interface are investigated. In the case of without post annealing after AlNiNd sputtering, uniform Al2O3 layer is grown during ITO
sputtering process and electric contact is not formed. In the case of with post annealing, Al3Ni crystal grains are formed and those are not oxidized during ITO sputtering process. ITO/AlNiNd direct electric contact is fabricated because electric current flows through the Al3Ni crystal grains. |
キーワード |
(和) |
TFT / contact / AlNi / AlNd / ITO / XPS / TEM / EDX |
(英) |
TFT / contact / AlNi / AlNd / ITO / XPS / TEM / EDX |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 1, SDM2008-8, pp. 37-40, 2008年4月. |
資料番号 |
SDM2008-8 |
発行日 |
2008-04-04 (SDM, OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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