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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-04-11 13:15 ITO/AlNiNdコンタクト形成メカニズムの解明 ○河瀬和雅・本谷 宗・谷村純二（三菱電機）・津村直樹・長山顕祐・石賀展昭（メルコ・ディスプレイ・テクノロジー）・井上和式（三菱電機）  SDM2008-8 OME2008-8 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-8 OME2008-8 |
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| 抄録 | （和） | AlNiNd 上にITO をスパッタ成膜した際の，ITO/AlNiNd 界面の化学結合状態，結晶状態，元素分布を詳細に調べた。AlNiNd 成膜後にポストアニールしない場合，ITO/AlNiNd 界面には一様に酸化膜が形成され，電気的コンタクトが形成されない。一方，AlNiNd 成膜後にポストアニールした場合，Al3Ni 結晶相が析出し，この相はITO 成膜時に全く酸化されない。このAl3Ni 結晶相がITO とAlNiNd の間の導通パスとなるため，ITO/AlNiNd ダイレクトコンタクトが形成される。 |
| （英） | The chemical bonding state, crystallized state and element distribution near ITO/AlNiNd interface are investigated. In the case of without post annealing after AlNiNd sputtering, uniform Al2O3 layer is grown during ITO sputtering process and electric contact is not formed. In the case of with post annealing, Al3Ni crystal grains are formed and those are not oxidized during ITO sputtering process. ITO/AlNiNd direct electric contact is fabricated because electric current flows through the Al3Ni crystal grains. |
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| キーワード | （和） | TFT / contact / AlNi / AlNd / ITO / XPS / TEM / EDX |
| （英） | TFT / contact / AlNi / AlNd / ITO / XPS / TEM / EDX | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 1, SDM2008-8, pp. 37-40, 2008年4月. | |
| 資料番号 | SDM2008-8 | |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-8 OME2008-8 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-8 OME2008-8 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2008-04-11 - 2008-04-12 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | TFTの材料・デバイス技術・応用および一般 |
| テーマ（英） | TFT Materials, Devices, and Applications and Others related to SDM and OME activity |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ITO/AlNiNdコンタクト形成メカニズムの解明 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Clarification of ITO/AlNiNd contact formation mechanism |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | TFT / TFT |
| キーワード(2)（和/英） | contact / contact |
| キーワード(3)（和/英） | AlNi / AlNi |
| キーワード(4)（和/英） | AlNd / AlNd |
| キーワード(5)（和/英） | ITO / ITO |
| キーワード(6)（和/英） | XPS / XPS |
| キーワード(7)（和/英） | TEM / TEM |
| キーワード(8)（和/英） | EDX / EDX |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河瀬 和雅 / Kazumasa Kawase / カワセ カズマサ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本谷 宗 / Tsukasa Motoya / モトヤ ツカサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷村 純二 / Junji Tanimura / タニムラ ジュンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 津村 直樹 / Naoki Tsumura / ツムラ ナオキ |
| 第4著者 所属（和/英） | メルコ・ディスプレイ・テクノロジー (略称： メルコ・ディスプレイ・テクノロジー) Melco Display Technology Inc. (略称： メルコ・ディスプレイ・テクノロジ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長山 顕祐 / Kensuke Nagayama / ナガヤマ ケンスケ |
| 第5著者 所属（和/英） | メルコ・ディスプレイ・テクノロジー (略称： メルコ・ディスプレイ・テクノロジー) Melco Display Technology Inc. (略称： メルコ・ディスプレイ・テクノロジー) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石賀 展昭 / Nobuaki Ishiga / イシガ ノブアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | メルコ・ディスプレイ・テクノロジー (略称： メルコ・ディスプレイ・テクノロジー) Melco Display Technology Inc. (略称： メルコ・ディスプレイ・テクノロジ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 和式 / Kazunori Inoue / イノウエ カズノリ |
| 第7著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-04-11 13:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-8, OME2008-8 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.37-40 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) |
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