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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-04-12 09:30 ［招待講演］a-SiGe薄膜の低温結晶化機構の電子顕微鏡的研究 ○板倉 賢・宮尾正信（九大）  SDM2008-16 OME2008-16 |
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| 抄録 | （和） | a-SiGe薄膜のNi金属誘起横方向結晶化（Ni-MILC）法による低温結晶化機構を解明するために，Si_{0.6}Ge_{0.4}薄膜の微細構造を透過電子顕微鏡（TEM）により解析した．450 °Cで熱処理した試料では，先端に半球状のNi(Si_{1-x}Ge_{x})粒が形成され，それに続いて約30 nm幅で数μm程の長さの針状Si_{0.6}Ge_{0.4}結晶が生成していた．一方550 °C試料では，針状に結晶化した軸結晶に200 nm程度の大きな樹枝状結晶が多数生成していた．これは針状結晶部分から新たに核生成・成長が起こったものと考えられ，高温側ではNi(Si_{1-x}Ge_{x})誘起による結晶化と自然核生成による結晶化とが競合して複雑な結晶形態になることが明らかとなった． |
| （英） | Microstructures of Si_{0.6}Ge_{0.4} films were investigated by using a transmission electron microscopy (TEM) in order to clarify the low temperature crystallization mechanism in the Ni-metal induced lateral crystallization (Ni-MILC) process. In the specimen annealed at 450 °C, narrow needlelike Si_{0.6}Ge_{0.4} crystallites about 30 nm in width are formed and a hemispherical Ni(Si_{1-x}Ge_{x}) nodule was recognized at each crystallization front. At 550 °C, on the other hand, dendritic crystals composed of many SiGe grains about 200 nm in diameter was observed in the MILC region. In addition, needlelike crystallites were also found to penetrate the center of the dendritic aggregates. These results suggest that the needlelike SiGe crystallites are formed first in association with the formation and migration of Ni(Si_{1-x}Ge_{x}) precipitate, and subsequently SiGe grains are crystallized on the needlelike crystallites by the spontaneous nucleation and growth. | |
| キーワード | （和） | 金属誘起横方向結晶化 / Si-Ge薄膜 / Ni(Si,Ge)化合物 / 透過電子顕微鏡 / / / / |
| （英） | MILC process / Si-Ge thin films / Ni-monogermanosilicide / Transmission electron microscopy / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 1, SDM2008-16, pp. 77-82, 2008年4月. | |
| 資料番号 | SDM2008-16 | |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-16 OME2008-16 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2008-04-11 - 2008-04-12 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | TFTの材料・デバイス技術・応用および一般 |
| テーマ（英） | TFT Materials, Devices, and Applications and Others related to SDM and OME activity |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | a-SiGe薄膜の低温結晶化機構の電子顕微鏡的研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electron Microscopy Study of Low Temperature Crystallization of a-SiGe Thin Film |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 金属誘起横方向結晶化 / MILC process |
| キーワード(2)（和/英） | Si-Ge薄膜 / Si-Ge thin films |
| キーワード(3)（和/英） | Ni(Si,Ge)化合物 / Ni-monogermanosilicide |
| キーワード(4)（和/英） | 透過電子顕微鏡 / Transmission electron microscopy |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 板倉 賢 / Masaru Itakura / イタクラ マサル |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮尾 正信 / Masanobu Miyao / ミヤオ マサノブ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-04-12 09:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-16, OME2008-16 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.77-82 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) |
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