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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-04-12 11:25 金属触媒誘起固相成長法による多結晶Ge/絶縁膜の低温形成 ～ 電界印加効果、触媒種効果 ～ ○萩原貴嗣・都甲 薫・佐道泰造（九大）  SDM2008-20 OME2008-20 |
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| 抄録 | （和） | 次世代TFTのチャネル材料として期待される多結晶Ge/絶縁膜の極低温形成(≦250℃)を目指し金属触媒誘起固相成長法を検討した．まず，Ni触媒誘起固相成長を低温化する為，固相成長に与える電界印加効果を検討した．その結果，電界印加(200-500 V/cm)により，375℃における成長速度が約1桁上昇することが明らかになった．しかし，低温(≦350℃)での成長促進には高電界(≧2500V/cm)の印加が必要と示唆され，高電界印加によるGe膜の飛散により低温化が困難と判明した．そこで，他の触媒種(Cu, Pd, Co)を検討した結果，Cuを用いる事で，極低温(250℃)での高速成長(約2m/h)が実現出来た． |
| （英） | Metal-induced lateral crystallization (MILC) of Ge was investigated to realize extremely low-temperature (≦250℃) formation of poly-Ge films on insulator. It was found that the growth velocity of Ni-MILC at 375oC was significantly increased by applying an electric field (200-500 V/cm). However, the growth temperature could not be decreased to <350oC, because an extremely high electric fields (>2500V/cm) was necessary at the low-temperatures, but Ge films were evaporated under such a high electric field. Thus, effects of other catalyst metals (Cu, Pd, Co) were examined. As a result, extremely low-temperature (250oC) growth with a high velocity (~2 m/h) was realized by using Cu as catalyst. | |
| キーワード | （和） | 金属誘起固相成長 / ゲルマニウム / 薄膜トランジスタ / 低温結晶化 / 電界誘起成長 / / / |
| （英） | metal-induced lateral crystallization / germanium / thin-film transistor / low-temperature crystallization / electric-field-induced crystallization / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 1, SDM2008-20, pp. 101-106, 2008年4月. | |
| 資料番号 | SDM2008-20 | |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-20 OME2008-20 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2008-04-11 - 2008-04-12 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | TFTの材料・デバイス技術・応用および一般 |
| テーマ（英） | TFT Materials, Devices, and Applications and Others related to SDM and OME activity |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 金属触媒誘起固相成長法による多結晶Ge/絶縁膜の低温形成 |
| サブタイトル（和） | 電界印加効果、触媒種効果 |
| タイトル（英） | Low-temperature formation of poly-Ge on insulator by metal-induced lateral crystallization |
| サブタイトル（英） | * |
| キーワード(1)（和/英） | 金属誘起固相成長 / metal-induced lateral crystallization |
| キーワード(2)（和/英） | ゲルマニウム / germanium |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin-film transistor |
| キーワード(4)（和/英） | 低温結晶化 / low-temperature crystallization |
| キーワード(5)（和/英） | 電界誘起成長 / electric-field-induced crystallization |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 萩原 貴嗣 / Takashi Hagihara / ハギハラ タカツグ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 都甲 薫 / Kaoru Toko / トコウ カオル |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐道 泰造 / Taizoh Sadoh / サドウ タイゾウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-04-12 11:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-20, OME2008-20 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.101-106 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) |
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