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| 講演名 | 2008-04-17 13:05 ［招待講演］コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM技術 ○白井浩樹・石川亮佑・伊藤雄一・北村卓也・竹内麻美・佐甲 隆・井上 顕・川崎 澄・勝木信幸・星崎博之・桑原愼一・夏目秀隆・坂尾眞人・谷川高穂（NECエレクトロニクス）  ICD2008-4 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2008-4 |
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| 抄録 | （和） | コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM デバイス技術について報告する。我々は150nm 世代より低消費電力かつ高速アクセス性能を持つ混載DRAM を実現するために「Full Metal DRAM」技術と呼ぶセル技術を導入した。本技術の特徴はセルの寄生抵抗を低減できることと、標準CMOS ロジック性能との完全互換性が得られることである。90nm 世代からは、High-k 容量絶縁膜（ZrO2）技術を導入して、セルサイズの縮小を図り、さらに55nm 世代以降、High-k ゲート絶縁膜(HfSiON)技術を導入することによりデバイススケーリングと性能向上を行った。 |
| （英） | This paper presents embedded DRAM device technology utilizing stacked MIM(Metal-Insulator-Metal) capacitor. Targeted for high random-access performance as well as low-power data-streaming applications, original structure named “Full Metal DRAM” has been devised and implemented from 150nm generation. This features reduced parasitic resistance of DRAM cell and fully-compatible CMOS Trs. characteristics with that of leading-edge CMOS. In 90nm generation, ZrO2 is introduced as capacitor dielectric material for cell size reduction. For the next generation of 55nm and beyond, high-k gate dielectric (HfSiON) has been introduced in CMOS platform, which can be effectively exploited for embedded DRAM scaling and performance improvement. | |
| キーワード | （和） | 混載DRAM / MIM容量 / High-k / ZrO2 / HfSiON / / / |
| （英） | embedded DRAM / MIM Capacitor / High-k / ZrO2 / HfSiON / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 6, ICD2008-4, pp. 19-24, 2008年4月. | |
| 資料番号 | ICD2008-4 | |
| 発行日 | 2008-04-10 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2008-4 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2008-4 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2008-04-17 - 2008-04-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリー） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2008-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Embedded DRAM Technology for Consumer Electronics |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 混載DRAM / embedded DRAM |
| キーワード(2)（和/英） | MIM容量 / MIM Capacitor |
| キーワード(3)（和/英） | High-k / High-k |
| キーワード(4)（和/英） | ZrO2 / ZrO2 |
| キーワード(5)（和/英） | HfSiON / HfSiON |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白井 浩樹 / Hiroki Shirai / シライ ヒロキ |
| 第1著者 所属（和/英） | ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 亮佑 / Ryousuke Ishikawa / イシカワ リョウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 雄一 / Yuichi Itoh / イトウ ユウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北村 卓也 / Takuya Kitamura / キタムラ タクヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 麻美 / Mami Takeuchi / タケウチ マミ |
| 第5著者 所属（和/英） | ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐甲 隆 / Takashi Sakoh / サコウ タカシ |
| 第6著者 所属（和/英） | ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 顕 / Ken Inoue / イノウエ ケン |
| 第7著者 所属（和/英） | ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川崎 澄 / Tohru Kawasaki / カワサキ トオル |
| 第8著者 所属（和/英） | ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 勝木 信幸 / Nobuyuki Katsuki / カツキ ノブユキ |
| 第9著者 所属（和/英） | ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 星崎 博之 / Hiroyuki Hoshizaki / ホシザキ ヒロユキ |
| 第10著者 所属（和/英） | ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桑原 愼一 / Shinichi Kuwabara / クラバラ シンイチ |
| 第11著者 所属（和/英） | ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 夏目 秀隆 / Hidetaka Natsume / ナツメ ヒデタカ |
| 第12著者 所属（和/英） | ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂尾 眞人 / Masato Sakao / サカオ マサト |
| 第13著者 所属（和/英） | ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷川 高穂 / Takaho Tanigawa / タニガワ タカホ |
| 第14著者 所属（和/英） | ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-04-17 13:05:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2008-4 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.6 |
| ページ範囲 | pp.19-24 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-04-10 (ICD) |
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