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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-04-17 09:25 ［招待講演］非対称ユニットβレシオセルを用いた0.7V,1GHz動作45nm SRAMマクロ ○佐々木貴彦・川澄 篤・矢部友章・武山泰久・平林 修・櫛田桂一（東芝）・東畑晃史（東芝マイクロエレクトロニクス）・片山 明・深野 剛・藤村勇樹・大塚伸朗（東芝）  ICD2008-1 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2008-1 |
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| 抄録 | （和） | $0.7V$単一電源により$1GHz$動作する$64kB$SRAMマクロを開発した [1] 。$45nm$テクノロジーを用いている。低電圧・高速動作を実現するための特徴的な技術として、非対称ユニット$\beta$レシオセル・Fine-grained Bit Line Segmentation(FBLS)技術・片側ビット線読出し方式の３つを採用した。非対称セルを用いることで、従来のセルと比べてセル面積を22$\%$削減している。バルクSiプロセスによるSRAMとして、$0.7V$で$1GHz$動作を実現した。 |
| （英） | A single-power supply $64kB$ SRAM is fabricated in a $45nm$ bulk CMOS technology. The SRAM operates at $1GHz$ with a $0.7V$ supply using a fine-grained bit line segmentation architecture and with an asymmetrical unit-$\beta$-ratio 6T cell. With the asymmetrical cell, we save $22\%$ cell area compared to a conventional symmetrical cell. This bulk SRAM is designed for $GHz$-class sub-$1V$ operation. | |
| キーワード | （和） | SRAM / 非対称セル / 低電圧 / 高速 / モバイル機器 / / / |
| （英） | SRAM / asymmetrical Cell / low voltage / High performance / Mobile / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 6, ICD2008-1, pp. 1-6, 2008年4月. | |
| 資料番号 | ICD2008-1 | |
| 発行日 | 2008-04-10 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2008-1 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2008-1 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2008-04-17 - 2008-04-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリー） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2008-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 非対称ユニットβレシオセルを用いた0.7V,1GHz動作45nm SRAMマクロ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Single-Power-Supply 0.7V 1GHz 45nm SRAM with an Asymmetrical Unit β-ratio Memory Cell |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 非対称セル / asymmetrical Cell |
| キーワード(3)（和/英） | 低電圧 / low voltage |
| キーワード(4)（和/英） | 高速 / High performance |
| キーワード(5)（和/英） | モバイル機器 / Mobile |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 貴彦 / Takahiko Sasaki / ササキ タカヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川澄 篤 / Atsushi Kawasumi / カワスミ アツシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢部 友章 / Tomoaki Yabe / タケヤマ ヤスヒサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武山 泰久 / Yasuhisa Takeyama / タケヤマ ヤスヒサ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平林 修 / Osamu Hirabayashi / ヒラバヤシ オサム |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 櫛田 桂一 / Keiichi Kushida / クシダ ケイイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東畑 晃史 / Akihito Tohata / トウハタ アキヒト |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝イクロエレクトロニクス (略称： 東芝マイクロエレクトロニクス) Toshiba Microelectronics corporation (略称： Toshiba Microelectronics Corp.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片山 明 / Akira Katayama / カタヤマ アキラ |
| 第8著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 深野 剛 / Gou Fukano / フカノ ゴウ |
| 第9著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤村 勇樹 / Yuki Fujimura / フジムラ ユウキ |
| 第10著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大塚 伸朗 / Nobuaki Otsuka / オオツカ ノブアキ |
| 第11著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-04-17 09:25:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2008-1 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.6 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-04-10 (ICD) |
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