ご案内 入会して研究会活動をもっとお得に!研究会参加費・年間登録費が会員価格になります。
お知らせ 【重要】研究会参加費の支払いおよび原稿アップロード手続きの変更に関するご案内
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2008-04-18 14:30
低消費電力・低アスペクト比半導体レーザ
上田 誠住友弘幸後藤 修山本 達小栗裕之梶山 訓中尾健誠天野秀則里吉洋忠喜夛敏弘和泉茂一ユーディナデバイスR2008-4 CPM2008-4 OPE2008-4
抄録 (和) 我々はリッジ型構造を用いて,低消費電力・低アスペクト比を特徴とするレーザを開発・製品化しており,50mW(CW)動作時の駆動電流は25℃で67mA,70℃で79mA,特性温度Toは179K(25-50℃)および145K(50-70℃)を実現している.消費電力は当社独自構造で低消費電力の特長をもつS3(Self-aligned Stepped Substrate)型と同等程度に抑えられており,50mW(CW)動作時のFFP半値角は垂直方向が16.4 deg,水平方向が12.8 degの低アスペクト比(=1.28)を実現している.信頼性試験においては,1,200時間の50mW(CW)光出力で安定動作しており,MTTFは10,000時間以上と優れた特性を確認している.本レーザは特性,量産性の両面で優れており,光ディスク関連製品への適用が期待される. 
(英) We have developed low-power consumption and low-aspect ratio laser diodes (LDs) by using ridge waveguide structure. The actual operation current as low as 67 mA at 25 ℃ and 79 mA at 70 ℃ are obtained in output power of 50 mW (CW). The characteristics temperatures (To) for the low temperature range of 25-50 ℃ and the high temperature range of 50-70 ℃ are estimated 179 K and 145 K, respectively. The power consumption in the novel LDs is almost the same as that in conventional S3 (Self-aligned Stepped Substrate) LDs. The full-width at half-maximum of the beam divergence angles perpendicular and parallel to the junction plane at 50 mW (CW) are 16.4 deg and 12.8 deg, respectively. The mean time to failure (MTTF) is estimated as high as 10,000 hours by lifetime test of 1,200 hours under CW operation of 50 mW. These excellent results confer the promising way to apply to the application of optical disc with low cost and high throughput production.
キーワード (和) 半導体レーザ / 低消費電力 / 低アスペクト比 / AlGaInP / / / /  
(英) Laser Diode / Low Power consumption / Low Aspect ratio / AlGaInP / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 7, R2008-4, pp. 17-22, 2008年4月.
資料番号 R2008-4 
発行日 2008-04-11 (R, CPM, OPE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード R2008-4 CPM2008-4 OPE2008-4

研究会情報
研究会 OPE CPM R  
開催期間 2008-04-18 - 2008-04-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 光部品の実装・信頼性、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 R 
会議コード 2008-04-OPE-CPM-R 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 低消費電力・低アスペクト比半導体レーザ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low-Power Consumption and Low-Aspect Ratio Laser Diodes 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 半導体レーザ / Laser Diode  
キーワード(2)(和/英) 低消費電力 / Low Power consumption  
キーワード(3)(和/英) 低アスペクト比 / Low Aspect ratio  
キーワード(4)(和/英) AlGaInP / AlGaInP  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 上田 誠 / Makoto Ueda / ウエダ マコト
第1著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社 (略称: ユーディナデバイス)
Eudyna Devices Inc. (略称: Eudyna Devices)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 住友 弘幸 / Hiroyuki Sumitomo / スミトモ ヒロユキ
第2著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社 (略称: ユーディナデバイス)
Eudyna Devices Inc. (略称: Eudyna Devices)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 後藤 修 / Shu Goto / ゴトウ シュウ
第3著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社 (略称: ユーディナデバイス)
Eudyna Devices Inc. (略称: Eudyna Devices)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 達 / Toru Yamamoto / ヤマモト トオル
第4著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社 (略称: ユーディナデバイス)
Eudyna Devices Inc. (略称: Eudyna Devices)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 小栗 裕之 / Hiroyuki Oguri / オグリ ヒロユキ
第5著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社 (略称: ユーディナデバイス)
Eudyna Devices Inc. (略称: Eudyna Devices)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 梶山 訓 / Satoshi Kajiyama / カジヤマ サトシ
第6著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社 (略称: ユーディナデバイス)
Eudyna Devices Inc. (略称: Eudyna Devices)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 中尾 健誠 / Kensei Nakao / ナカオ ケンセイ
第7著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社 (略称: ユーディナデバイス)
Eudyna Devices Inc. (略称: Eudyna Devices)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 天野 秀則 / Hidenori Amano / アマノ ヒデノリ
第8著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社 (略称: ユーディナデバイス)
Eudyna Devices Inc. (略称: Eudyna Devices)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 里吉 洋忠 / Hirotada Satoyoshi / サトヨシ ヒロタダ
第9著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社 (略称: ユーディナデバイス)
Eudyna Devices Inc. (略称: Eudyna Devices)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 喜夛 敏弘 / Toshihiro Kita / キタ トシヒロ
第10著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社 (略称: ユーディナデバイス)
Eudyna Devices Inc. (略称: Eudyna Devices)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 和泉 茂一 / Shigekazu Izumi / イズミ シゲカズ
第11著者 所属(和/英) ユーディナデバイス株式会社 (略称: ユーディナデバイス)
Eudyna Devices Inc. (略称: Eudyna Devices)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第21著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第21著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第22著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第22著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第23著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第23著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第24著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第24著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第25著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第25著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第26著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第26著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第27著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第27著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第28著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第28著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第29著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第29著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第30著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第30著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第31著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第31著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第32著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第32著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第33著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第33著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第34著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第34著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第35著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第35著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第36著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第36著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2008-04-18 14:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 R 
資料番号 R2008-4, CPM2008-4, OPE2008-4 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.7(R), no.8(CPM), no.9(OPE) 
ページ範囲 pp.17-22 
ページ数
発行日 2008-04-11 (R, CPM, OPE) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会