| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2008-04-18 14:30
低消費電力・低アスペクト比半導体レーザ ○上田 誠・住友弘幸・後藤 修・山本 達・小栗裕之・梶山 訓・中尾健誠・天野秀則・里吉洋忠・喜夛敏弘・和泉茂一(ユーディナデバイス) R2008-4 CPM2008-4 OPE2008-4 |
| 抄録 |
(和) |
我々はリッジ型構造を用いて,低消費電力・低アスペクト比を特徴とするレーザを開発・製品化しており,50mW(CW)動作時の駆動電流は25℃で67mA,70℃で79mA,特性温度Toは179K(25-50℃)および145K(50-70℃)を実現している.消費電力は当社独自構造で低消費電力の特長をもつS3(Self-aligned Stepped Substrate)型と同等程度に抑えられており,50mW(CW)動作時のFFP半値角は垂直方向が16.4 deg,水平方向が12.8 degの低アスペクト比(=1.28)を実現している.信頼性試験においては,1,200時間の50mW(CW)光出力で安定動作しており,MTTFは10,000時間以上と優れた特性を確認している.本レーザは特性,量産性の両面で優れており,光ディスク関連製品への適用が期待される. |
| (英) |
We have developed low-power consumption and low-aspect ratio laser diodes (LDs) by using ridge waveguide structure. The actual operation current as low as 67 mA at 25 ℃ and 79 mA at 70 ℃ are obtained in output power of 50 mW (CW). The characteristics temperatures (To) for the low temperature range of 25-50 ℃ and the high temperature range of 50-70 ℃ are estimated 179 K and 145 K, respectively. The power consumption in the novel LDs is almost the same as that in conventional S3 (Self-aligned Stepped Substrate) LDs. The full-width at half-maximum of the beam divergence angles perpendicular and parallel to the junction plane at 50 mW (CW) are 16.4 deg and 12.8 deg, respectively. The mean time to failure (MTTF) is estimated as high as 10,000 hours by lifetime test of 1,200 hours under CW operation of 50 mW. These excellent results confer the promising way to apply to the application of optical disc with low cost and high throughput production. |
| キーワード |
(和) |
半導体レーザ / 低消費電力 / 低アスペクト比 / AlGaInP / / / / |
| (英) |
Laser Diode / Low Power consumption / Low Aspect ratio / AlGaInP / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 7, R2008-4, pp. 17-22, 2008年4月. |
| 資料番号 |
R2008-4 |
| 発行日 |
2008-04-11 (R, CPM, OPE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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