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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-05-15 15:50 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価 ○泉 佳太・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大）  ED2008-7 CPM2008-15 SDM2008-27 |
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| 抄録 | （和） | Si集積回路と発光素子を融合させた光電子融合集積回路(optoelectronic intergrated circuit:OEIC)を実現させるには、Siと格子整合する発光素子が必要となる。窒素を2 %添加したGaPNはSiと格子整合する。発光材料中に欠陥が存在すると、発光特性を低下させてしまう。本研究では、GaPNにSiおよびSを添加した材料を光伝導度過渡応答特性を用いて測定を行い、深い準位についての評価を行った。移動度の温度特性の結果、n-GaPはフォノン散乱が支配的であったが、n-GaP0.991N0.009:Siはイオン化不純物散乱が支配的であた。光伝導度過渡応答特性より、N組成が1 %前後の時には、ドーパントを変えたことによる欠陥準位に大きな違いは見られなかった。 |
| （英） | In order to realize an optoelectronic integrated circuit(OEIC) united Si integrated circuit and luminescent device, a luminescent device has to be lattice matched to Si because III-V compound semiconductors are use a luminescent device. GaP0.98N0.02 is lattice matched to Si. But, some defects in the luminescent materials degrades luminescent property. In this study, we investigated for deep levels by using photoconductivity transient measurement. According to temperature dependence of mobility, phonon scattering is dominant in n-type GaP. But, ionized impurity scattering is dominant in Si doped n-type GaP0.991N0.009. From photoconductivity transient measurement of GaPN with 1 % N content , there are no clear difference in defect formation by changing the dopant of Si and S. | |
| キーワード | （和） | 光電子融合集積回路 / GaPN / 光伝導度過渡応答特性 / / / / / |
| （英） | optoelectronic intergrated circuit / GaPN / photoconductivity transient measurement / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 34, ED2008-7, pp. 29-34, 2008年5月. | |
| 資料番号 | ED2008-7 | |
| 発行日 | 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-7 CPM2008-15 SDM2008-27 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2008-05-15 - 2008-05-16 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials） |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of deep levels in GaPN by photoconductivity transient measurement |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光電子融合集積回路 / optoelectronic intergrated circuit |
| キーワード(2)（和/英） | GaPN / GaPN |
| キーワード(3)（和/英） | 光伝導度過渡応答特性 / photoconductivity transient measurement |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 泉 佳太 / Keita Izumi / イズミ ケイタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 浩 / Hiroshi Okada / オカダ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古川 雄三 / Yuzo Furukawa / フルカワ ユウゾウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara / ワカハラ アキヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-05-15 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-7, CPM2008-15, SDM2008-27 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.34(ED), no.35(CPM), no.36(SDM) |
| ページ範囲 | pp.29-34 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) |
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