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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-05-16 15:30 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価 ○鬼頭孝輔・加藤正史・市村正也（名工大）  ED2008-21 CPM2008-29 SDM2008-41 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では2種類の高抵抗6H-SiCバルクウェハに対し,抵抗率上昇機構解明の電気的測定手法として,電流-電圧測定、容量-電圧測定、電流DLTS測定（Current Deep-Level Transient Spectroscopy）を用い,半絶縁性に影響を及ぼす準位の解明を試みた.さらに,少数キャリアトラップの評価が可能であるPICTS測定(Photo Induced Current Level Transient Spectroscopy)を行い,詳細なトラップ評価を試みた.その結果,抵抗率の低い試料では結晶作製過程で導入された,Ec-0.17eVの準位が抵抗率を低下させていることがわかった.さらに抵抗率の高い試料ではEc-0.77eVのアクセプタ型準位がキャリアを補償し,他の準位とともに半絶縁性向上に寄与している可能性が見出された. |
| （英） | We characterized deep levels that influence a semi-insulating property by current-voltage, capacitance-voltage and current deep-level transient spectroscopy measurement for high resistive 6H-SiC bulk wafers. In addition, photo induced current level transient spectroscopy measurements were performed to evaluate minority carrier traps. As a result, in the sample with lower resistivity, the donor level of Ec-0.17eV introduced during the crystal growth process decreased the resistivity. In the sample with higher resistivity, an acceptor level of Ec-0.77eV would compensate for the electron, and the other levels also may contribute to high resistivity of this sample. | |
| キーワード | （和） | SiC / 深い準位 / 電流-電圧測定 / 容量-電圧測定 / DLTS / PICTS / / |
| （英） | SiC / deep level / current-voltage / capacitance-voltage / DLTS / PICTS / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 34, ED2008-21, pp. 101-106, 2008年5月. | |
| 資料番号 | ED2008-21 | |
| 発行日 | 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-21 CPM2008-29 SDM2008-41 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2008-05-15 - 2008-05-16 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials） |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of deep levels in undoped 6H-SiC by Current Deep-Level Transient Spectroscopy method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 深い準位 / deep level |
| キーワード(3)（和/英） | 電流-電圧測定 / current-voltage |
| キーワード(4)（和/英） | 容量-電圧測定 / capacitance-voltage |
| キーワード(5)（和/英） | DLTS / DLTS |
| キーワード(6)（和/英） | PICTS / PICTS |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鬼頭 孝輔 / Kosuke Kito / キトウ コウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 正史 / Masashi Kato / カトウ マサシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-05-16 15:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-21, CPM2008-29, SDM2008-41 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.34(ED), no.35(CPM), no.36(SDM) |
| ページ範囲 | pp.101-106 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) |
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