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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-05-16 15:05 マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価 ○松下由憲・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構）  ED2008-20 CPM2008-28 SDM2008-40 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-20 CPM2008-28 SDM2008-40 |
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| 抄録 | （和） | SiCは高出力，高周波デバイスの材料として注目されている．実用化を妨げる原因のひとつとしてウェハー中の結晶欠陥の存在が挙げられるが，デバイス特性と結晶欠陥の関係がわかっていない．よって結晶欠陥の評価が必要である．本研究では電子線照射により欠陥濃度を変化させたp型4H-SiC(0001)Si面エピタキシャル試料中の過剰キャリア減衰曲線をμ-PCD(反射マイクロ波光導電減衰)法によって測定した．過剰キャリアは欠陥濃度の高い試料ほど速く減衰し，さらに注入過剰キャリアが少ないほど速く減衰した．これらの減衰と数値計算によって得られた減衰曲線とを比較した結果，EH6/7センター，Z1/2センターの密度が小さいときはEH6/7センターが減衰曲線に対して支配的に働き，EH6/7センター，Z1/2センターの密度が大きいときはZ1/2センターが減衰曲線に対して支配的に働くということが考えられた． |
| （英） | Silicon Carbide (SiC) is a promising material for high power and high frequency devices. However we cannot transfer these devices to practical use because of presence of crystal defects in the wafer. In this work, we have measured excess carrier decay curves in (0001) Si face epitaxial p-type 4H-SiC layers with the microwave photoconductivity decay (μ-PCD) method. Two pieces were irradiated by electron in order to control defect density. Excess carrier decayed fast for the sample that has high density of defects and the decays were also fast in the measurement with low injection level. We compare these decay curves to calculated decay curves. As a result, we considered that EH6/7 center is dominant for samples with low EH6/7, Z1/2 center density and Z1/2 center is dominant for samples with high EH6/7, Z1/2 center density. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / キャリアライフタイム / μ-PCD法 / 減衰曲線 / 電子線照射 / 数値計算 / 注入フォトン数 / |
| （英） | 4H-SiC / carrier lifetime / μ-PCD method / decay curve / electron irradiation / calculation / Injection level / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 34, ED2008-20, pp. 95-100, 2008年5月. | |
| 資料番号 | ED2008-20 | |
| 発行日 | 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-20 CPM2008-28 SDM2008-40 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-20 CPM2008-28 SDM2008-40 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2008-05-15 - 2008-05-16 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials） |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of epitaxial p-type 4H-SiC layers by the microwave photoconductivity decay method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | キャリアライフタイム / carrier lifetime |
| キーワード(3)（和/英） | μ-PCD法 / μ-PCD method |
| キーワード(4)（和/英） | 減衰曲線 / decay curve |
| キーワード(5)（和/英） | 電子線照射 / electron irradiation |
| キーワード(6)（和/英） | 数値計算 / calculation |
| キーワード(7)（和/英） | 注入フォトン数 / Injection level |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松下 由憲 / Yoshinori Matsushita / マツシタ ヨシノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 正史 / Masashi Kato / カトウ マサシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑山 智亮 / Tomoaki Hatayama / ハタヤマ トモアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) NARA INSTITUTE SCIENCE and TECHNOLOGY (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大島 武 / Takeshi Ohshima / オオシマ タケシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本原子力研究開発機構 (略称： 原子力機構) Japan Atomic Energy Agency (略称： JAEA) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-05-16 15:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-20, CPM2008-28, SDM2008-40 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.34(ED), no.35(CPM), no.36(SDM) |
| ページ範囲 | pp.95-100 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) |
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