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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-05-16 10:50 p型GaNゲートノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧 ○根賀亮平・水野克俊・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大）  ED2008-13 CPM2008-21 SDM2008-33 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-13 CPM2008-21 SDM2008-33 |
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| 抄録 | （和） | 低損失スイッチングデバイスの実現には、ノーマリーオフ型デバイスのオン抵抗低減が必須である。また、実用化のためには耐圧の向上が必要である。p-GaNゲートを有する?族窒化物半導体ノーマリーオフ型FETの構造変化によるオン抵抗の低減と耐圧のソース・ドレイン間距離依存性を確認した。 |
| （英） | This paper reports normally-off mode nitride-based field-effect transistor using p-type gate contact. In order to realize application to power switching devices, it is necessary to reduce on-resistance as well as to keep the breakdown voltage high enough. By changing the device parameters such as source-drain distance, gate length, etc., correlation between on-resistance and breakdown voltage was deduced experimentally. | |
| キーワード | （和） | AlGaN / GaN / Junction HFET / p-GaNゲート / ノーマリーオフ / 低オン抵抗 / 耐圧 / |
| （英） | AlGaN / GaN / Junction HFET / p-type GaN gate / normally-off / low on-resistance / Breakdown Voltage / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 34, ED2008-13, pp. 61-66, 2008年5月. | |
| 資料番号 | ED2008-13 | |
| 発行日 | 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-13 CPM2008-21 SDM2008-33 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-13 CPM2008-21 SDM2008-33 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2008-05-15 - 2008-05-16 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials） |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | p型GaNゲートノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | On-resistance and Breakdown Voltage of Enhancement-Mode AlGaN/GaN Junction HFET Using p-GaN Gate Contact |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | Junction HFET / Junction HFET |
| キーワード(4)（和/英） | p-GaNゲート / p-type GaN gate |
| キーワード(5)（和/英） | ノーマリーオフ / normally-off |
| キーワード(6)（和/英） | 低オン抵抗 / low on-resistance |
| キーワード(7)（和/英） | 耐圧 / Breakdown Voltage |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 根賀 亮平 / Ryohei Nega / ネガ リョウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水野 克俊 / Katsutoshi Mizuno / ミズノ カツトシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤崎 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-05-16 10:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-13, CPM2008-21, SDM2008-33 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.34(ED), no.35(CPM), no.36(SDM) |
| ページ範囲 | pp.61-66 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) |
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