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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-05-29 16:40 Alq3を含む有機EL素子の変位電流特性 ～ ヘテロ界面での正孔蓄積機構および成膜時の光照射効果 ～ ○野口 裕・佐藤直樹・田中有弥・中山泰生・石井久夫（千葉大）  OME2008-31 |
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| 抄録 | （和） | 変位電流評価法によりtris-(8-hydroxyquinolate) aluminum (Alq$_3$)を含んだ有機エレクトロルミネッセンス素子の電荷蓄積機構を解析した。4,4$^{\prime}$-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]-biphenyl ($\alpha$-NPD)/Alq$_3$界面の蓄積電荷量は、built-in voltage ($V_{\mathrm{bi}}$)を境界にして二種類に分類できる。すなわち、$V_{\mathrm{bi}}$以下の印加電圧では、$\alpha$-NPD/Alq$_3$界面に存在する負の界面電荷を相殺する量の正孔が蓄積し、$V_{\mathrm{bi}}$以上の印加電圧では接触抵抗を含めた各層の抵抗率の差に応じて蓄積電荷量が決まる。さらに、我々はこの蓄積電荷量は素子作製時の光照射により大きく減少することを見出した。この結果は、$\alpha$-NPD/Alq$_3$界面での電荷蓄積機構にAlq$_3$層の配向分極が強く関わっていることを示唆する。 |
| （英） | We examined the mechanism of charge accumulation in organic light-emitting diodes comprising tris-(8-hydroxyquinolate) aluminum (Alq$_3$) using a displacement current measurement. Depending on the applied biasing voltage, two kinds of accumulation behavior were observed. At the biases lower than the built-in voltage ($V_{\mathrm{bi}}$), the amount of hole accumulated at 4,4$^{\prime}$-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]-biphenyl/Alq$_3$ is dominated by the negative charge at the interface, but at the biases higher than $V_{\mathrm{bi}}$, it is determined by the conductivity of each layer. In addition, we found that light irradiation during the device fabrication significantly reduces the amount of hole accumulated at the interface, suggesting that the orientation polarization in Alq$_3$ film is responsible for the charge accumulation properties. | |
| キーワード | （和） | 有機EL素子 / 電荷蓄積 / 変位電流評価法 / 界面電荷 / 巨大表面電位 / / / |
| （英） | organic light-emitting diode / charge accumulation / displacement current masurement / interfacial charge / giant surface potential / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 59, OME2008-31, pp. 55-60, 2008年5月. | |
| 資料番号 | OME2008-31 | |
| 発行日 | 2008-05-22 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2008-31 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2008-05-29 - 2008-05-29 |
| 開催地（和） | 電気倶楽部第３会議室 |
| 開催地（英） | Denki-Club, Meeting room 3 |
| テーマ（和） | 有機材料・一般 |
| テーマ（英） | Electronic organic materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2008-05-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Alq3を含む有機EL素子の変位電流特性 |
| サブタイトル（和） | ヘテロ界面での正孔蓄積機構および成膜時の光照射効果 |
| タイトル（英） | Displacement current measurement for organic light-emitting diodes containing Alq3; |
| サブタイトル（英） | Hole accumulation properties at the hetero interface and the effects of light during device fabrication |
| キーワード(1)（和/英） | 有機EL素子 / organic light-emitting diode |
| キーワード(2)（和/英） | 電荷蓄積 / charge accumulation |
| キーワード(3)（和/英） | 変位電流評価法 / displacement current masurement |
| キーワード(4)（和/英） | 界面電荷 / interfacial charge |
| キーワード(5)（和/英） | 巨大表面電位 / giant surface potential |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 裕 / Yutaka Noguchi / ノグチ ユタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 直樹 / Naoki Sato / サトウ ナオキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 有弥 / Yuya Tanaka / タナカ ユウヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中山 泰生 / Yasuo Nakayama / ナカヤマ ヤスオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石井 久夫 / Hisao Ishii / イシイ ヒサオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-05-29 16:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2008-31 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.59 |
| ページ範囲 | pp.55-60 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-05-22 (OME) |
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