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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-06-10 10:55 High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO2界面の役割 ○岩本邦彦・上牟田雄一（半導体MIRAI-ASET）・布重 裕（芝浦工大/半導体MIRAI-産総研ASRC）・平野晃人・小川有人・渡邉幸宗（半導体MIRAI-ASET）・右田慎二・水林 亘・森田行則（半導体MIRAI-産総研ASRC）・高橋正志（半導体MIRAI-ASET）・太田裕之（半導体MIRAI-産総研ASRC）・生田目俊秀（半導体MIRAI-ASET）・鳥海 明（半導体MIRAI-産総研ASRC/東大）  SDM2008-51 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 80, SDM2008-51, pp. 53-58, 2008年6月. | |
| 資料番号 | SDM2008-51 | |
| 発行日 | 2008-06-02 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-51 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-06-09 - 2008-06-10 |
| 開催地（和） | 東京大学(生産研 An棟) |
| 開催地（英） | An401・402, Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、第101回研究集会「ゲートスタック構造の新展開：高移動度チャネル技術を中心に）」との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO2界面の役割 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The role of the high-k/SiO2 interface in the control of the threshold voltage for high-k MOS devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
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| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩本 邦彦 / Kunihiko Iwamoto / |
| 第1著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクト (略称： 半導体MIRAI-ASET) MIRAI (略称： MIRAI-ASET) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上牟田 雄一 / Yuuichi Kamimuta / |
| 第2著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクト (略称： 半導体MIRAI-ASET) MIRAI (略称： MIRAI-ASET) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 布重 裕 / Yu Nunoshige / |
| 第3著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学/半導体MIRAI-産総研ASRC (略称： 芝浦工大/半導体MIRAI-産総研ASRC) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Institute of Technology) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平野 晃人 / Akito Hirano / |
| 第4著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクト (略称： 半導体MIRAI-ASET) MIRAI (略称： MIRAI-ASET) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小川 有人 / Arito Ogawa / |
| 第5著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクト (略称： 半導体MIRAI-ASET) MIRAI (略称： MIRAI-ASET) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邉 幸宗 / Yukimune Watanabe / |
| 第6著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクト (略称： 半導体MIRAI-ASET) MIRAI (略称： MIRAI-ASET) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 右田 慎二 / Shinji Migita / |
| 第7著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクト (略称： 半導体MIRAI-産総研ASRC) MIRAI (略称： MIRAI-ASRC, AIST) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水林 亘 / Wataru Mizubayashi / |
| 第8著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクト (略称： 半導体MIRAI-産総研ASRC) MIRAI (略称： MIRAI-ASRC, AIST) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森田 行則 / Yukinori Morita / |
| 第9著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクト (略称： 半導体MIRAI-産総研ASRC) MIRAI (略称： MIRAI-ASRC, AIST) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 正志 / Masashi Takahashi / |
| 第10著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクト (略称： 半導体MIRAI-ASET) MIRAI (略称： MIRAI-ASET) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 裕之 / Hiroyuki Ota / |
| 第11著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクト (略称： 半導体MIRAI-産総研ASRC) MIRAI (略称： MIRAI-ASRC, AIST) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 生田目 俊秀 / Toshihide Nabatame / |
| 第12著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクト (略称： 半導体MIRAI-ASET) MIRAI (略称： MIRAI-ASET) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鳥海 明 / Akira Toriumi / |
| 第13著者 所属（和/英） | 半導体MIRAI-産総研ASRC/東京大学 (略称： 半導体MIRAI-産総研ASRC/東大) The University of Tokyo (略称： The University of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-06-10 10:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-51 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.80 |
| ページ範囲 | pp.53-58 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-06-02 (SDM) |
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