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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-06-10 13:10 MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価 ○近藤博基・櫻井晋也（名大）・酒井 朗（阪大）・小川正毅・財満鎭明（名大）  SDM2008-54 |
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| 抄録 | （和） | バブリングによる原料供給が可能なシクロペンタジエニル錯体(Pr(EtCp)3)を用いた有機金属化学気相蒸着(MOCVD)法によるPr酸化膜の成膜を検討した。酸化剤として水(H2O)を用いることにより、O2を用いた場合に対して膜中炭素濃度を約10分の1(2％)に低減できる。またH2Oを用いて成膜したPr酸化膜は多結晶の柱状構造であり、Pr2O3の六方晶がSi(001)基板上に優先配向していることもわかった。MOSキャパシタの測定結果より、本研究で作製したMOCVD-Pr2O3膜の比誘電率は26、VFB+1 Vでのリーク電流密度は5.8×10-6 (A/cm2)と得られた。これらの結果より、シクロペンタジエニル錯体とH2Oを用いたMOCVD法によって、高誘電率かつ低リーク電流なPr酸化膜が形成可能なことがわかった。 |
| （英） | Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) of Pr2O3 films using Pr(EtCp)3 and their electrical properties were investigated in this study. The carbon (C) concentration of CVD-Pr oxide films can be reduced using H2O as an oxidant in the CVD process and, consequently, uniform Pr2O3 films with columnar structures are successfully formed. This CVD-Pr2O3 film has a dielectric constant of 263, and a leakage current density is 5.80.910-6 A/cm2 (@VFB+1V). The Pr2O3 film with low C concentration, small current leakage, and high dielectric constant can be formed on Si substrates by the MOCVD using Pr(EtCp)3 and H2O. | |
| キーワード | （和） | 有機金属化学気相蒸着法 / シクロペンタジエニル錯体 / Pr(EtCp)3 / Pr2O3 / 高誘電率ゲート絶縁膜 / MOS / / |
| （英） | MOCVD / Cyclopentadienyl complex / Pr(EtCp)3 / Pr2O3 / high-k / MOS / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 80, SDM2008-54, pp. 71-75, 2008年6月. | |
| 資料番号 | SDM2008-54 | |
| 発行日 | 2008-06-02 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-54 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-06-09 - 2008-06-10 |
| 開催地（和） | 東京大学(生産研 An棟) |
| 開催地（英） | An401・402, Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、第101回研究集会「ゲートスタック構造の新展開：高移動度チャネル技術を中心に）」との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Pr oxide films by MOCVD and evaluation of its electrical properties |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機金属化学気相蒸着法 / MOCVD |
| キーワード(2)（和/英） | シクロペンタジエニル錯体 / Cyclopentadienyl complex |
| キーワード(3)（和/英） | Pr(EtCp)3 / Pr(EtCp)3 |
| キーワード(4)（和/英） | Pr2O3 / Pr2O3 |
| キーワード(5)（和/英） | 高誘電率ゲート絶縁膜 / high-k |
| キーワード(6)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 近藤 博基 / Hiroki Kondo / コンドウ ヒロキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 櫻井 晋也 / Shinya Sakurai / サクライ シンヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 朗 / Akira Sakai / サカイ アキラ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小川 正毅 / Masaki Ogawa / オガワ マサキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-06-10 13:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-54 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.80 |
| ページ範囲 | pp.71-75 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-06-02 (SDM) |
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