| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM |
| 開催期間 |
2008-06-09 - 2008-06-10 |
| 開催地(和) |
東京大学(生産研 An棟) |
| 開催地(英) |
An401・402, Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ(和) |
ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、第101回研究集会「ゲートスタック構造の新展開:高移動度チャネル技術を中心に)」との合同開催) |
| テーマ(英) |
Science and Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2008-06-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究 |
| サブタイトル(和) |
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| タイトル(英) |
Theoretical Studies on the Charge Trap Mechanisms of MONOS Memories |
| サブタイトル(英) |
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| キーワード(1)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
白石 賢二 / Kenji Shiraishi / シライシ ケンジ |
| 第1著者 所属(和/英) |
筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Univ of Tsukuba) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小林 賢司 / Kenji Kobayashi / コバヤシ ケンジ |
| 第2著者 所属(和/英) |
筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Univ of Tsukuba) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
石田 猛 / Takeshi Ishida / イシダ タケシ |
| 第3著者 所属(和/英) |
日立中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Laboratories, Hitachi Ltd. (略称: Central Research Labs., Hitachi) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
奥山 裕 / Yutaka Okuyama / オクヤマ ユタカ |
| 第4著者 所属(和/英) |
日立中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Laboratories, Hitachi Ltd. (略称: Central Research Labs., Hitachi) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
山田 廉一 / Renichi Yamada / ヤマダ レンイチ |
| 第5著者 所属(和/英) |
日立中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Laboratories, Hitachi Ltd. (略称: Central Research Labs., Hitachi) |
| 第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第21著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第25著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第26著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第27著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第28著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第29著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第30著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第31著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第32著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第33著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第34著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第35著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第36著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2008-06-10 13:45:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
SDM2008-55 |
| 巻番号(vol) |
vol.108 |
| 号番号(no) |
no.80 |
| ページ範囲 |
pp.77-82 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2008-06-02 (SDM) |