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講演抄録/キーワード
講演名 2008-06-13 17:00
スピンエッチングによるφ300mmウェハのステイン膜形成
増本哲己渡辺正晴佐藤啓介日本エスイーゼットED2008-31
抄録 (和) 従来、浸漬式によるステイン膜(ポーラスシリコン)形成が報告されている。スピンエッチングを用いた表面処理技術としてステイン膜形成を試みる。ステイン膜のアプリケーションとしては、薄ウェハ化後の裏面膜絶縁、保護、3次元実装等への応用が考えられる。ウェハは300mmP型ウェハを使用する。HF:HNO3:H2Oを用い薬液組成を検討した。スピンエッチングではウェハ上の薬液の流れ方でステイン膜厚の分布が変化するため、エッチングパラメータの最適化を行った。その結果ステイン膜をウェハ全面で均一に形成できた。 
(英) The Stain film (porous silicon) formation by an immersion type is reported. The Stain film formation on 300mm wafer is tried as surface treatment technology using SPIN ETCH.
キーワード (和) ステイン膜 / スピンエッチング / 300mmウェハ / / / / /  
(英) Stain / Spin Etching / 300mm Wafer / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 87, ED2008-31, pp. 51-54, 2008年6月.
資料番号 ED2008-31 
発行日 2008-06-06 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2008-31

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2008-06-13 - 2008-06-14 
開催地(和) 金沢大学 角間キャンパス 
開催地(英) Kanazawa University 
テーマ(和) 半導体のプロセス・デバイス(表面、界面、信頼性、一般) 
テーマ(英) Process and device technology od semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2008-06-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) スピンエッチングによるφ300mmウェハのステイン膜形成 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 300mm Wafer Stain Formation by Spin Etching 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ステイン膜 / Stain  
キーワード(2)(和/英) スピンエッチング / Spin Etching  
キーワード(3)(和/英) 300mmウェハ / 300mm Wafer  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 増本 哲己 / Satomi Mashimoto / マシモト サトミ
第1著者 所属(和/英) 日本エスイーゼット株式会社 (略称: 日本エスイーゼット)
SEZ JAPAN (略称: SEZ JAPAN)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 正晴 / Masaharu Watanabe / ワタナベ マサハル
第2著者 所属(和/英) 日本エスイーゼット株式会社 (略称: 日本エスイーゼット)
SEZ JAPAN (略称: SEZ JAPAN)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 啓介 / Keisuke Sato / サトウ ケイスケ
第3著者 所属(和/英) 日本エスイーゼット株式会社 (略称: 日本エスイーゼット)
SEZ JAPAN (略称: SEZ JAPAN)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-06-13 17:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2008-31 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.87 
ページ範囲 pp.51-54 
ページ数
発行日 2008-06-06 (ED) 


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