講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-06-13 13:00
SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション ○田中成明(北陸先端大)・住田行常・河合弘治(パウデック)・鈴木寿一(北陸先端大) ED2008-22 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-22 |
抄録 |
(和) |
サファイア基板上のAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタに対して, AlN単層, SiN単層, さらにSiN超薄膜/AlN積層構造による表面パッシベーションを検討した. AlN単層パッシベーションは, 放熱特性向上によって高ドレイン電圧におけるドレイン電流の減少を抑制するが, オフ特性・サブスレショルド特性を大きく劣化させる. 一方, SiN単層パッシベーションは,放熱特性向上には有効ではないが, オフ特性・サブスレショルド特性を低下させない. SiN/AlN積層パッシベーションでは, オフ特性・サブスレショルド特性を低下させることなくAlNの放熱効果をある程度利用できることが示された. |
(英) |
By using AlN single layer, SiN single layer, or SiN/AlN bilayer structure, we have investigated surface passivation of AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors on sapphire substrates. Although the AlN passivation suppresses the drain current decrease at high drain voltage due to self-heating reduction, a deterioration of the off-state and the subthreshold characteristics is observed. On the other hand, the SiN passivation is less effective for the self-heating reduction, but does not deteriorate the off-state and the subthreshold characteristics. The SiN/AlN bilayer passivation does not deteriorate the off-state and the subthreshold characteristics, and is slightly effective for the self-heating reduction. |
キーワード |
(和) |
AlGaN/GaN ヘテロ接合電界効果トランジスタ / 表面パッシベーション / SiN/AlN積層構造 / / / / / |
(英) |
AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistor / surface passivation / SiN/AlN bilayer structure / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 87, ED2008-22, pp. 1-4, 2008年6月. |
資料番号 |
ED2008-22 |
発行日 |
2008-06-06 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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