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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-06-13 13:00 SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション ○田中成明（北陸先端大）・住田行常・河合弘治（パウデック）・鈴木寿一（北陸先端大）  ED2008-22 |
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| 抄録 | （和） | サファイア基板上のAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタに対して, AlN単層, SiN単層, さらにSiN超薄膜/AlN積層構造による表面パッシベーションを検討した. AlN単層パッシベーションは, 放熱特性向上によって高ドレイン電圧におけるドレイン電流の減少を抑制するが, オフ特性・サブスレショルド特性を大きく劣化させる. 一方, SiN単層パッシベーションは,放熱特性向上には有効ではないが, オフ特性・サブスレショルド特性を低下させない. SiN/AlN積層パッシベーションでは, オフ特性・サブスレショルド特性を低下させることなくAlNの放熱効果をある程度利用できることが示された. |
| （英） | By using AlN single layer, SiN single layer, or SiN/AlN bilayer structure, we have investigated surface passivation of AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors on sapphire substrates. Although the AlN passivation suppresses the drain current decrease at high drain voltage due to self-heating reduction, a deterioration of the off-state and the subthreshold characteristics is observed. On the other hand, the SiN passivation is less effective for the self-heating reduction, but does not deteriorate the off-state and the subthreshold characteristics. The SiN/AlN bilayer passivation does not deteriorate the off-state and the subthreshold characteristics, and is slightly effective for the self-heating reduction. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN ヘテロ接合電界効果トランジスタ / 表面パッシベーション / SiN/AlN積層構造 / / / / / |
| （英） | AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistor / surface passivation / SiN/AlN bilayer structure / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 87, ED2008-22, pp. 1-4, 2008年6月. | |
| 資料番号 | ED2008-22 | |
| 発行日 | 2008-06-06 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-22 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2008-06-13 - 2008-06-14 |
| 開催地（和） | 金沢大学 角間キャンパス |
| 開催地（英） | Kanazawa University |
| テーマ（和） | 半導体のプロセス・デバイス（表面、界面、信頼性、一般） |
| テーマ（英） | Process and device technology od semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface passivation of AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors by SiN/AlN bilayer structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN ヘテロ接合電界効果トランジスタ / AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 表面パッシベーション / surface passivation |
| キーワード(3)（和/英） | SiN/AlN積層構造 / SiN/AlN bilayer structure |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 成明 / Nariaki Tanaka / タナカ ナリアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 (略称： 北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称： JAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 住田 行常 / Yasunobu Sumida / スミダ ヤスノブ |
| 第2著者 所属（和/英） | パウデック (略称： パウデック) POWDEC K.K. (略称： POWDEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河合 弘治 / Hiroji Kawai / カワイ ヒロジ |
| 第3著者 所属（和/英） | パウデック (略称： パウデック) POWDEC K.K. (略称： POWDEC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 寿一 / Toshi-kazu Suzuki / |
| 第4著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 (略称： 北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称： JAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-06-13 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-22 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-06-06 (ED) |
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