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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-06-14 11:45 Si(111)基板上での30°回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果 ○斉藤光史・森 雅之・上田広司・前澤宏一（富山大）  ED2008-38 |
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| 抄録 | （和） | 我々はSi(111)基板上にInSb単分子層を介してInSb薄膜をヘテロエピタキシャル成長させる新しい手法を提案している。ここで形成されるInSbはSi基板に対して面内で30°回転し、結晶品質及び電子移動度が改善できることが分かっている。しかし、そのInSb単分子層がどのように上部InSb薄膜層に影響を与えているについては、未だ明らかではない。今回、InSb単分子層中のIn層及びSb層の影響を明らかにするために、Si(111)基板上の様々な再構成構造(InSb-2x2, In-2x2, Sb-√3x√3, Sb-2x1)上へInSb薄膜を蒸着し、これをRHEED, XRD, ホール効果測定によって評価した。その結果、In層とSb層の両方（つまり、InSb単分子層）が良質なInSb薄膜形成のために必要であることが明らかとなった。 |
| （英） | A new method for an InSb heteroepitaxial growth on a Si(111) substrate was introduced in our previous work, in which an InSb film was formed via InSb bi-layer. This InSb film was rotated by 30° with respect to the Si substrate. It is found that the InSb film was improved in crystal quality and hall mobility by this rotation. However, effects of the InSb bi-layer for the formation of the rotated InSb film. In the present work, to study the effects of In and Sb individual layers in the InSb bi-layer on the InSb film quality, InSb was deposited onto InSb-2x2 bi-layer, In-2x2 mono-layer, Sb-√3x√3 mono-layer, and Sb-2x1 mono-layer on the Si substrate. It is found that both the In layer and the Sb layer (in other words, InSb bi-layer) were essential to form a fine InSb film. | |
| キーワード | （和） | Si / InSb / MBE / ヘテロエピタキシャル成長 / 表面再構成構造 / / / |
| （英） | Si / InSb / MBE / Heteroepitaxial growth / Reconstructed surface / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 87, ED2008-38, pp. 85-90, 2008年6月. | |
| 資料番号 | ED2008-38 | |
| 発行日 | 2008-06-06 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-38 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2008-06-13 - 2008-06-14 |
| 開催地（和） | 金沢大学 角間キャンパス |
| 開催地（英） | Kanazawa University |
| テーマ（和） | 半導体のプロセス・デバイス（表面、界面、信頼性、一般） |
| テーマ（英） | Process and device technology od semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si(111)基板上での30°回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of In and Sb mono-layers to form rotated InSb films on a Si(111) substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | InSb / InSb |
| キーワード(3)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロエピタキシャル成長 / Heteroepitaxial growth |
| キーワード(5)（和/英） | 表面再構成構造 / Reconstructed surface |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斉藤 光史 / Mitsufumi Saito / サイトウ ミツフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. Toyama) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 雅之 / Masayuki Mori / モリ マサユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. Toyama) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 広司 / Koji Ueda / ウエダ コウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. Toyama) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前澤 宏一 / Koichi Maezawa / |
| 第4著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. Toyama) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-06-14 11:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-38 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.85-90 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-06-06 (ED) |
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