| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-06-14 10:15 エピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付によるInAs薄膜の異種材料融合集積 ○滝田隼人・工藤昌宏・田中成明・鈴木寿一（北陸先端大）  ED2008-35 |
|
| 抄録 | （和） | InAsの異種材料融合集積に向けて,InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフ(ELO)およびSiO$_2$/Si基板上へのvan der Waals貼付(VWB)を検討した.後のデバイスプロセスに重大な影響を与える貼付状態をX線回折を用いて評価しつつ,デバイスプロセスが可能なSiO$_2$/Si基板上InAs薄膜を得た.これを用いて作製したセミコンダクタオンインシュレータ(SOI)-Hallバーデバイスは13800 cm$^2$V$^{-1}$s$^{-1}$という非常に高い室温電子移動度を示した.この室温電子移動度は,ELO-VWBデバイスおけるキャリア移動度として,また,SiO$_2$上薄膜におけるキャリア移動度として,最高の値である. |
| （英） | We investigated epitaxial lift-off (ELO) of InAs thin films and their van der Waals bonding (VWB) on SiO$_2$/Si substrates towards heterogeneous integration of InAs. Characterizing the InAs bonding status using X-ray diffraction, we successfully realized InAs thin films on SiO$_2$ which are available for device processes. Using the InAs thin films, we fabricated semiconductor-on-insulator (SOI) -Hall-bar devices, which exhibits room-temperature electron mobility of 13800 cm$^2$V$^{-1}$s$^{-1}. The electron mobility is the highest ever reported for ELO-VWB devices, and also for thin films on SiO$_2$. | |
| キーワード | （和） | InAs / エピタキシャルリフトオフ / van der Waals貼付 / SOI / / / / |
| （英） | InAs / epitaxial lift-off / van der Waals bonding / SOI / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 87, ED2008-35, pp. 73-76, 2008年6月. | |
| 資料番号 | ED2008-35 | |
| 発行日 | 2008-06-06 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-35 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2008-06-13 - 2008-06-14 |
| 開催地（和） | 金沢大学 角間キャンパス |
| 開催地（英） | Kanazawa University |
| テーマ（和） | 半導体のプロセス・デバイス（表面、界面、信頼性、一般） |
| テーマ（英） | Process and device technology od semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | エピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付によるInAs薄膜の異種材料融合集積 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Heterogeneous integration of InAs thin films by epitaxial lift-off and van der Waals bonding |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(2)（和/英） | エピタキシャルリフトオフ / epitaxial lift-off |
| キーワード(3)（和/英） | van der Waals貼付 / van der Waals bonding |
| キーワード(4)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 滝田 隼人 / Hayato Takita / タキタ ハヤト |
| 第1著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 (略称： 北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称： JAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 工藤 昌宏 / Masahiro Kudo / クドウ マサヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 (略称： 北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称： JAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 成明 / Nariaki Tanaka / タナカ ナリアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 (略称： 北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称： JAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 寿一 / Toshi-kazu Suzuki / スズキ トシカズ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 (略称： 北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称： JAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-06-14 10:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-35 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.73-76 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-06-06 (ED) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]