| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-06-27 10:35 InGaAs/InAlAs/AlAsSb結合量子井戸サブバンド間遷移を用いた超高速全光型スイッチの開発 ○永瀬成範・秋本良一・Cong Guangwei・下山峰史・物集照夫・挾間壽文・石川 浩（産総研）  OPE2008-20 LQE2008-21 |
|
| 抄録 | （和） | InAlAs中央バリアを用いたInGaAs/AlAsSb結合量子井戸において、全光型位相変調(XPM)が増大した。これより、AlAs中央バリアを用いた従来素子の3倍となる高いXPM効率（0.075 rad / pJ）を得ることに成功した。量子レベル解析および赤外吸収スペクトル測定は、XPM効率増大が、バンド間吸収の分散に起因していることを示唆した。このXPM効率の増大により、マッハツェンダー干渉型全光スイッチの高性能化が期待できる。 |
| （英） | All-optical cross phase modulation (XPM) was enhanced in the InGaAs/AlAsSb coupled quantum wells (CQWs) using new InAlAs central barrier. A high XPM efficiency of 0.075 rad/pJ, which is approximately three times as large as that of a previous sample with the AlAs central barrier, was successfully obtained. The analysis of the quantum levels and the measurement of the absorption spectra suggested that the enhanced XPM efficiency was contributed by the dispersion of the interband transition. This larger XPM efficiency is expected to give a higher performance in Mach-Zehender interferometer (MZI) type ultrafast all-optical switch. | |
| キーワード | （和） | 量子井戸サブバンド遷移 / 強結合量子井戸 / 位相変調効果 / 全光型スイッチ / / / / |
| （英） | Intersubband transition / Strongly coupled quantum wells / Cross phase modulation / All-optical switch / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 114, LQE2008-21, pp. 11-16, 2008年6月. | |
| 資料番号 | LQE2008-21 | |
| 発行日 | 2008-06-20 (OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OPE2008-20 LQE2008-21 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE LQE |
| 開催期間 | 2008-06-27 - 2008-06-27 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 量子効果デバイス（光信号処理、LD、光増幅、変調等）と集積化技術、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2008-06-OPE-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InGaAs/InAlAs/AlAsSb結合量子井戸サブバンド間遷移を用いた超高速全光型スイッチの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of ultrafast all-optical switch utilizing intersubband transition in InGaAs/InAlAs/AlAsSb coupled quantum wells |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子井戸サブバンド遷移 / Intersubband transition |
| キーワード(2)（和/英） | 強結合量子井戸 / Strongly coupled quantum wells |
| キーワード(3)（和/英） | 位相変調効果 / Cross phase modulation |
| キーワード(4)（和/英） | 全光型スイッチ / All-optical switch |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永瀬 成範 / Masanori Nagase / ナガセ マサノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 秋本 良一 / Ryoichi Akimoto / アキモト リョウイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Cong Guangwei / Cong Guangwei / Cong Guangwei |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下山 峰史 / Takasi Simoyama / シモヤマ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 物集 照夫 / Teruo Mozume / モズメ テルオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 挾間 壽文 / Toshifumi Hasama / ハサマ トシフミ |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 浩 / Hiroshi Ishikawa / イシカワ ヒロシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-06-27 10:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | OPE2008-20, LQE2008-21 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.113(OPE), no.114(LQE) |
| ページ範囲 | pp.11-16 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-06-20 (OPE, LQE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]