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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-06-27 14:50 高調波整合によるGaN HEMTの高効率動作の検討 ○山中宏治・能登一二三・木村実人・山内和久・加茂宣卓・桑田英悟・大塚浩志・井上 晃（三菱電機）  MW2008-44 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2008-44 |
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| 抄録 | （和） | 高調波処理（高調波整合）によるGaN HEMTの高効率動作について報告する．GaN HEMT はGaAs FETの約10倍の出力密度を有しているため発熱の問題がより深刻となる．このため高効率動作はGaN HEMT高出力増幅器にとって必須である．本研究報告では高効率動作を実現する上で重要となる２倍波の整合条件について高調波ロードプル装置を用いて実験的に調べた．また，高調波ロードプル測定により得られた効率整合負荷インピーダンス条件を元にC帯高出力増幅器の設計・試作を行った．その結果，C帯5%比帯域にて出力80W，電力付加効率57%の高効率・高出力を得ることができた．また，同様にして高周波動作に適した短ゲート長素子を用いてX帯GaN HEMT高出力増幅器を試作した．その結果，X帯50W以上の出力のGaN HEMT高出力増幅器としてはこれまで報告された中で最高の43%の電力付加効率が得られた． |
| （英） | In this paper, high efficiency operation of GaN HEMTs with harmonic tuning is presented. As power density of GaN HEMTs is 10 times larger than that of GaAs FETs’, thermal issues are more serious. Therefore it is essential to realize high efficiency operation for GaN HEMT high power amplifiers. The 2nd harmonic termination condition for highest efficiency operation was experimentally investigated with harmonic tuners. A C-band high power amplifier was designed along with the result of harmonic tuning measurement. More than 57% PAE with 80W output power are successfully obtained at C-band 5% relative band width. An X-band GaN HEMT high power amplifier was also designed using shorter gate-length device. It exhibited 43% PAE with 60W output power, which is the state-of-the-art high efficiency for X-band GaN HEMT high power amplifiers with more than 50W output powers. | |
| キーワード | （和） | GaN HEMT / 高電圧 / MODFET高出力増幅器 / / / / / |
| （英） | GaN HEMT / High-voltage techniques / MODFET power amplifiers / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 118, MW2008-44, pp. 69-74, 2008年6月. | |
| 資料番号 | MW2008-44 | |
| 発行日 | 2008-06-20 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2008-44 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2008-44 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2008-06-27 - 2008-06-27 |
| 開催地（和） | 豊橋技科大 |
| 開催地（英） | Toyohashi Univ. of Tech. |
| テーマ（和） | マイクロ波信号発生と計測技術／一般 |
| テーマ（英） | Microwave signal generation techniques, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2008-06-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高調波整合によるGaN HEMTの高効率動作の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Efficiency Enhancement of GaN HEMTs with Harmonic Tuning Technique |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 高電圧 / High-voltage techniques |
| キーワード(3)（和/英） | MODFET高出力増幅器 / MODFET power amplifiers |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka / ヤマナカ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 能登 一二三 / Hifumi Noto / ノト ヒフミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 実人 / Makoto Kimura / キムラ マコト |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山内 和久 / Kazuhisa Yamauchi / ヤマウチ カズヒサ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加茂 宣卓 / Yoshitaka Kamo / カモ ヨシタカ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桑田 英悟 / Eigo Kuwata / クワタ エイゴ |
| 第6著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大塚 浩志 / Hiroshi Otsuka / オオツカ ヒロシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 晃 / Akira Inoue / イノウエ アキラ |
| 第8著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-06-27 14:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2008-44 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.118 |
| ページ範囲 | pp.69-74 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-06-20 (MW) |
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